[实用新型]一种半导体激光器有效
| 申请号： | 201520765461.8 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN204966960U | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 刘兴胜;王警卫;邢卓;侯栋;李小宁;沈泽南 | 申请（专利权）人： | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 | ||
1.一种半导体激光器，其特征在于：包括半导体激光器芯片和散热器，还包括第一金属键合媒介层、第二金属键合媒介层及关键层，所述的第一金属键合媒介层设置在散热器表面，第一金属键合媒介层依次为镍、金、钛、铂和金，所述的第二金属键合媒介层设置在半导体激光器芯片表面，第二金属键合媒介层依次为钛、铂、金，所述的关键层设置在散热器的第一金属媒介层表面，所述的半导体激光器芯片和散热器通过关键层键合为整体，且半导体激光器芯片的正极面与散热器的关键层表面相贴合，所述的半导体激光器芯片的负极面设置有负电极连接片。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于：所述的第一金属键合媒介层，镍的厚度为1.0-3.0μm，钛的厚度为0.1-0.3μm，铂的厚度为0.05-0.2μm，金的厚度为0.1-0.3μm；所述的关键层材料为铟、金镉合金、金锡合金、锡银铜合金或铟锡合金，所述的关键层材料厚度为3-5μm。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于：所述的半导体激光器芯片为单发光单元半导体激光器芯片或者多发光单元半导体激光器芯片，所述的半导体激光器芯片个数为1个或者多个，所述的半导体激光器芯片的电联接方式为串联或者并联的电联接方式。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于：所述的半导体激光器芯片的负极面设置负电极连接片，设置电极连接片的方式是通过金线键合的方式设置或者直接设置金属片作为负电极连接片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安炬光科技股份有限公司，未经西安炬光科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520765461.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：变电所照明监控避雷装置
- 下一篇：带升降的可藏式陪护椅
