[实用新型]非易失性存储单元与存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储单元，其特征在于包含：

具有主表面的为第一导电类型的半导体材料；

在所述半导体材料的第一部分内的第一隔离区以及在所述半导体材料的第二部分内的第二隔离区，所述第一隔离区具有第一面及第二面，所述第二隔离区具有第一面及第二面，其中所述半导体材料的与所述第一隔离区的所述第一面相邻的部分用作第一有源区，所述半导体材料在所述第一隔离区的所述第二面与所述第二隔离区的所述第一面之间的部分用作第二有源区，并且所述半导体材料的与所述第二隔离区的所述第二面相邻的部分用作第三有源区；

由所述第一有源区形成的第一电容器，所述第一电容器具有第一电极及第二电极，所述第一电容器的所述第一电极用作控制栅极；

由所述第二有源区形成的隧穿增强型器件，所述隧穿增强型器件具有第一电极和第二电极，所述隧穿增强型器件的所述第一电极用作擦除栅极，并且所述隧穿增强型器件的所述第二电极与所述第一电容器的所述第二电极耦接以形成浮置栅极；以及

由所述第三有源区形成的状态晶体管，所述状态晶体管具有控制电极、第一载流电极及第二载流电极，所述状态晶体管的所述控制电极直接耦接至所述浮置栅极。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，还包含：

形成于所述半导体材料的第三部分内的第三隔离结构，所述第三隔离结构从所述表面延伸到所述半导体材料的所述第三部分之内并且具有第一面和第二面，所述半导体材料的在所述第二隔离区的所述第二面与所述第三隔离区的所述第一面之间的部分用作第四有源区；

由所述第四有源区形成的为所述第一导电类型的第一掺杂区；以及

与所述第一掺杂区接触的基板触头。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其中所述第一电容器和所述隧穿增强型器件包含：

在所述第一有源区内的为第二导电类型和第一掺杂浓度的第一掺杂区；

在所述第二有源区内的为所述第二导电类型和第二掺杂浓度的第二掺杂区；

在所述第一有源区和所述第二有源区之上的绝缘层；

在所述绝缘层的位于所述第一有源区上方的部分之上的第一栅极导体以及在所述绝缘层的位于所述第二有源区上方的部分之上的第二栅极导体，所述第一栅极导体具有第一侧壁及第二侧壁并且所述第二栅极导体具有第一侧壁及第二侧壁；

在所述第二掺杂区内的为所述第一导电类型的第三掺杂区以及在所述第二掺杂区内的为所述第一导电类型的第四掺杂区，所述第三掺杂区与所述第一栅极导体的所述第一侧壁横向相邻，并且所述第三掺杂区与所述第二栅极导体的所述第一侧壁横向相邻；

与所述第三掺杂区相邻的且横向位于所述第三掺杂区与所述第一隔离区之间的为所述第一导电类型的第五掺杂区；

与所述第四掺杂区相邻的且横向位于所述第三掺杂区与所述第一隔离区之间的为所述第一导电类型的第六掺杂区；

与所述第五掺杂区相邻的且横向位于所述第五掺杂区与所述第一隔离区之间的为所述第二导电类型的第七掺杂区；以及

与所述第六掺杂区相邻的且横向位于所述第六掺杂区与所述第二隔离区之间的为所述第二导电类型的第八掺杂区。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储单元，其中所述第一电容器的所述第一电极与所述第五掺杂区及所述第七掺杂区接触；并且所述隧穿增强型器件的所述第一电极与所述第六掺杂区及所述第八掺杂区接触。

5.一种存储器件，其特征在于包含：

具有第一电极和第二电极的第一电容器，所述第一电容器的所述第一电极用作所述存储器件的第一控制栅极；

具有第一电极和第二电极的第二电容器，所述第二电容器的所述第一电极用作所述存储器件的擦除栅极，并且所述第二电容器的所述第二电极与所述第一电容器的所述第二电极耦接以形成第一浮置栅极；以及

具有控制电极、第一载流电极及第二载流电极的晶体管，所述晶体管的所述控制电极直接耦接至所述第一浮置栅极。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述第一电容器、所述第二电容器和所述晶体管按单片集成在一起。