[实用新型]电流感测装置有效
| 申请号： | 201520770627.5 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN205080180U | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王飞 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 流感 装置 | ||
1.一种电流感测装置，包括：
感测MOSFET；
功率MOSFET；以及
补偿MOSFET，
其中，
所述补偿MOSFET的漏极和所述功率MOSFET的漏极连接在一起，所述感测MOSFET的栅极和所述功率MOSFET的栅极连接在一起，并且所述补偿MOSFET被配置为对由所述感测MOSFET与所述功率MOSFET的单位指状分支宽度的不同而引起的漏极端寄生电阻差进行补偿，其中所述感测MOSFET、所述功率MOSFET以及所述补偿MOSFET都是LD-MOSFET器件。
2.根据权利要求1所述的电流感测装置，其中，所述感测MOSFET的源极和所述功率MOSFET的源极连接在一起。
3.根据权利要求1所述的电流感测装置，其中，所述感测MOSFET、所述功率MOSFET以及所述补偿MOSFET都是N沟道LD-MOSFET器件或都是P沟道LD-MOSFET器件。
4.根据权利要求1所述的电流感测装置，其中，所述电流感测装置还包括分流电阻器，其中所述分流电阻器的一端连接到所述感测MOSFET的源极，并且所述分流电阻器的另一端连接到所述功率MOSFET的源极。
5.根据权利要求4所述的电流感测装置，其中，所述电流感测装置还包括参考电流源、参考电阻器和运算放大器，其中所述参考电流源与所述参考电阻器串联连接，所述参考电流源与所述参考电阻器的串联连接节点被连接到所述运算放大器的第一输入端，所述运算放大器的第二输入端连接到所述感测MOSFET的源极，并且所述运算放大器的输出端连接到所述感测MOSFET的栅极和所述功率MOSFET的栅极。
6.根据权利要求1到5中的任一项所述的电流感测装置，其中，所述补偿MOSFET的栅极连接到具有固定电压的电压源。
7.根据权利要求1到3中的任一项所述的电流感测装置，其中，所述补偿MOSFET的栅极连接到具有浮动电压的电压源。
8.根据权利要求7所述的电流感测装置，其中，所述具有浮动电压的电压源包括可调节的偏置电流源、第一MOSFET以及第二MOSFET，其中所述第一MOSFET的栅极和漏极连接在一起，所述第一MOSFET的栅极和漏极连接到所述可调节的偏置电流源和所述补偿MOSFET的栅极，所述第一MOSFET的源极连接到所述第二MOSFET的漏极，所述第二MOSFET的栅极连接到所述补偿MOSFET的源极，所述第二MOSFET的源极接地，并且所述感测MOSFET的栅极连接到具有固定电压的电压源，其中所述第一MOSFET和所述第二MOSFET都是LD-MOSFET器件。
9.根据权利要求1所述的电流感测装置，其中所述第一MOSFET和所述第二MOSFET都是N沟道LD-MOSFET器件或都是P沟道LD-MOSFET器件。
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