[实用新型]LED驱动器和LED灯

说明书

技术领域

本实用新型实施例涉及电路领域，尤其涉及一种发光二极管(LightEmittingDiode，LED)驱动器和LED灯。

背景技术

传统的用于交流-直流转换(AlternatingCurrent-directCurrent，AC-DC)(90-264V_AC)的LED驱动器使用的功率单元为硅高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，MOSFET)，由于这种硅高压MOSFET管的器件寄生参数大，导通电阻大，干扰大及开关速度较慢等问题，导致LED驱动器的工作效率较低。

实用新型内容

本实用新型实施例提供的LED驱动器和LED灯，用于解决由于这种硅高压MOSFET管的器件寄生参数大，导通电阻大，干扰大及开关速度较慢等问题，导致LED驱动器的工作效率较低的问题。

本实用新型第一方面提供一种LED驱动器，包括：控制单元和功率单元；所述控制单元与所述功率单元采用电气连接；所述功率单元采用氮化镓场效应管晶片；所述控制单元用于产生最小工作频率大于250K赫兹的控制信号；所述功率单元用于在所述控制单元的控制下将输入的交流电压转换成LED所需的直流电压。

在本实用新型的一实施例中，所述LED驱动器还包括：封装基板或者载片台；所述控制单元和所述氮化镓场效应管晶片固定在所述封装基板或者所述载片台上；所述控制单元和所述氮化镓场效应管晶片需要外接的电气点分别与所述封装基板或者所述载片台的引脚连接，并由塑封材料将所述控制单元和所述氮化镓场效应管晶片在所述封装基板或者所述载片台进行封装。

在本实用新型的一实施例中，所述电气点包括所述氮化镓场效应管晶片的栅极、源极和漏极；所述氮化镓场效应管晶片的栅极与所述控制单元输出控制信号的端口连接；所述氮化镓场效应管晶片的源极与接地；所述氮化镓场效应管晶片的漏极与待驱动的所述LED的正极连接。

在本实用新型的一实施例中，所述LED驱动器应用于降压斩波电路、升压斩波电路、降压-升压双向斩波电路、反激式直流转换电路、允许输出电压大于、小于或者等于输入电压的直流转换SEPIC电路、正激式直流转换电路或者半桥电路。

本实用新型第二方面提供一种LED灯，包括：供电电路、驱动电路和至少一个发光二极管LED；所述供电电路与所述驱动电路的输入端连接；所述驱动电路的输出端与所述至少一个LED连接；其中，所述驱动电路包括第一方面任一项所述的LED驱动器。

本实用新型提供的LED驱动器和LED灯，包括采用氮化镓场效应管晶片的功率单元和控制单元，功率单元在控制单元的控制下将输入的交流电压转换成LED需要的直流电压，通过采用氮化镓MOSFET作为功率单元，在高频工作状态下，干扰、损耗较小及开关速度较快，有效提高该LED驱动器的工作效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型LED驱动器实施例一的原理示意图；

图2为本实用新型LED驱动器应用于降压斩波电路的原理示意图；

图3为本实用新型LED驱动器应用于降压-升压双向斩波电路的原理示意图；

图4为本实用新型LED驱动器应用于升压斩波电路的原理示意图；

图5为本实用新型LED驱动器应用于反激式直流转换电路的原理示意图；

图6为本实用新型LED驱动器应用于另一种反激式直流转换电路的原理示意图；

图7为本实用新型LED灯的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。