[实用新型]非接触式晶圆连续处理装置有效
申请号: | 201520787858.7 | 申请日: | 2015-10-12 |
公开(公告)号: | CN205016503U | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 王义正;王鹏进;黄汉民 | 申请(专利权)人: | 奇勗科技股份有限公司;王义正 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;尚群 |
地址: | 新竹市东山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 式晶圆 连续 处理 装置 | ||
1.一种非接触式晶圆连续处理装置,用以搬运一进行连续工艺处理的待处理晶圆,其特征在于,该非接触式晶圆连续处理装置包含有:
一工作平台,包含有一进料端、一远离该进料端的出料端、多个设置于该进料端与该出料端之间且提供一上浮气体的第一气孔、多个设置于该进料端与该出料端之间且提供一侧浮气体的第二气孔以及多个自该进料端排列至该出料端的工艺处理区域,该上浮气体沿一纵方向喷出,该侧浮气体沿一推动方向喷出,该纵方向与该推动方向相交一夹角;
一与该多个第一气孔连接的第一气体供应单元;
一与该多个第二气孔连接的第二气体供应单元;以及
多个对应设置于该多个工艺处理区域上方以对该待处理晶圆进行处理的处理单元。
2.根据权利要求1所述的非接触式晶圆连续处理装置,其特征在于,该工作平台还包含有一设置于该出料端以抵挡该待处理晶圆的挡止件。
3.根据权利要求2所述的非接触式晶圆连续处理装置,其特征在于,该工作平台还包含有一设置于该挡止件且朝该进料端提供一侧向气体的第三气孔,该侧向气体沿一横方向喷出。
4.根据权利要求3所述的非接触式晶圆连续处理装置,其特征在于,还包含有一与该第三气孔连接的第三气体供应单元。
5.根据权利要求4所述的非接触式晶圆连续处理装置,其特征在于,还包含有一电性连接于该第一气体供应单元、该第二气体供应单元以及该第三气体供应单元的控制单元。
6.根据权利要求1所述的非接触式晶圆连续处理装置,其特征在于,还包含有一设置于该工作平台相邻于该出料端的感测元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奇勗科技股份有限公司;王义正,未经奇勗科技股份有限公司;王义正许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520787858.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置和电子设备
- 下一篇:二极管筛选机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造