[实用新型]含定向扩散结的肖特基器件

权利要求书

1.一种含定向扩散结的肖特基器件，其组成包括：硅单晶基片，其特征是：所述的硅单晶基片上具有外延层，所述的外延层上设置有肖特基势垒区，所述的肖特基势垒区与一组台面凸点P型区配合，所述的肖特基势垒区上部装有阳极金属层，所述的阳极金属层两侧设置有金属场板，所述的阳极金属层两侧与厚氧化层连接，所述的厚氧化层下部装有P+环，所述的硅单晶基片下部装有阴极金属层。

2.根据权利要求1所述的含定向扩散结的肖特基器件，其特征是：所述的硅单晶基片为重掺杂的N型硅单晶基片，所述的外延层为低掺杂的N-外延层，所述的肖特基势垒区设置有台面凹面，所述的台面凸点P型区和所述的肖特基势垒区共同形成整流结。

3.根据权利要求1所述的含定向扩散结的肖特基器件，其特征是：所述的台面凸点P型区为硼杂质注入后经过高温扩散形成，所述的台面凸点P型区结深比所述的肖特基势垒区的台面凹面深度深，但低于所述的P+环的结深，所述的台面凸点P型区的硼浓度从上向下逐渐降低，且在同水平线方向上，表面浓度低于体内浓度，呈倒置的“小蘑菇”状；所述的肖特基势垒区为所述的外延层刻蚀形成的台面凹面，凹面表面浓度与所述的外延层的掺杂浓度相同。