[实用新型]一种切割用分线网有效

专利信息
申请号: 201520797985.5 申请日: 2015-10-16
公开(公告)号: CN205033405U 公开(公告)日: 2016-02-17
发明(设计)人: 刘耀峰 申请(专利权)人: 无锡荣能半导体材料有限公司
主分类号: B28D5/04 分类号: B28D5/04
代理公司: 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 代理人: 刘洪京
地址: 214183 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 切割 用分线网
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及多晶硅切片技术领域,具体涉及一种切割用分线网。

背景技术

多晶硅片多线切割技术是目前世界上比较先进的硅片加工技术,它的原理是通过高速运动的钢线带动附着在钢丝上的切割刃料对硅棒进行摩擦,从而达到切割效果。在该工艺中,切割线被缠绕在两个导向轮上,形成线网,可以同时进行几百、几千个切割,获得几百、几千个切片。

受多晶硅棒生产技术的限制,目前的生产水平只能产出长度在400mm左右的多晶硅棒,而现有多线切割技术可一次性切割800mm或1000mm长度的硅棒。为了达到一次性可多片切割的技术效果,通常都会将多段硅棒进行拼接使硅棒的总长度达到800mm或1000mm后进行一次性切割,使切片产能合理最大化。但是,由于超长硅棒是由几段短棒拼接而成,每段硅棒之间必然有间隙,且硅棒端面有不同程度的倾斜,从而使得切割时拼接端面之处钢线受力不均,加大了断线和硅片厚度变化的风险。现有的多线切割方法,切片的成品率、开机率都会受硅棒之间间隙的影响而大大降低,切片断线的概率极大。而断线对于切片而言,会严重影响生产效率和产品合格率。

实用新型内容

为解决现有技术中存在的上述技术问题,本实用新型提供了一种结构设计简单合理的专门用于多晶切片的分线网。本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:

一种切割用分线网,包括导线轮与切割线网,所述切割线网设置在所述导线轮上,所述切割线网分为多段,在所述相邻两端切割线网之间设置有切割线网间隙。

进一步的,处于所述切割线网间隙的钢线设置在所述导线轮的下方。

进一步的,所述切割线网间隙与欲切割的相邻硅棒之间的间隙位置相对应。

进一步的,所述的欲切割的相邻硅棒之间的间隙不超过3mm。

进一步的,所述切割线网间隙大于所述欲切割的两块硅棒之间的间隙。

进一步的,所述切割线网间隙不超过5mm。

本实用新型的有益效果是:

本实用新型公开的一种切割用分线网,通过在分线网中设置切割线网间隙,有效避免了由于在硅棒拼接处钢线受力不均而产生的断线或硅片厚度变化等诸多问题,极大的降低了硅棒端面损失和断线损失,使断线率降低50%,硅棒利用率提高1.5%;使用分线网切割,使切割线网直接越过拼接缝进行切割,切割时将两端多余的部分切除,有效地避免了硅棒两端的斜面问题;使硅片质量有明显改善,切片成品率由89%提高到92%,降低了生产成本。

附图说明

图1为本实用新型公开的一种切割用分线网的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案。

一种切割用分线网,包括导线轮4与切割线网3,所述切割线网3设置在所述导线轮4上,所述切割线网3分为多段,在所述相邻两端切割线网3之间设置有切割线网间隙2,处于所述切割线网间隙2的钢线1设置在所述导线轮4的下方。所述切割线网间隙2与欲切割的相邻硅棒5之间的间隙6位置相对应,所述的欲切割的相邻硅,5之间的间隙6的长度d为3mm,所述切割线网间隙2大于所述欲切割的两块硅棒5之间的间隙6,在本例中,所述切割线网间隙2的长度D为5mm。

在制作切割用分线网时,首先,根据两块两块硅棒5之间的缝隙6的位置,分别记录下每个缝隙6在导线轮4上的投影位置。然后从导轮4的进线端开始排布切割线网3,在导轮4上编织切割线网3至第一个缝隙6投影位置为1mm时,停止布切割线网3;剪去两块硅棒5之间缝隙6投影位置的切割线网,使切割线网间隙2宽度为5mm,绑好剪去切割线网3后的产生的两个线头,打上线结;打结后的钢线1,在切割线网3上是一根不平行的斜线,必须将其放置于导线轮4的下方。按上述步骤继续编织切割线网3,将剩下的缝隙位置都形成间隔的切割线网,最后将线结绕到收线轴;分线网排布好,检查分线部位是否将硅棒的缝隙全部覆盖,确保无误后,进行后续的切片操作。

最后应说明的是:以上所述仅为说明本实用新型的实施方式,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡荣能半导体材料有限公司,未经无锡荣能半导体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520797985.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top