[实用新型]一种MIM结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种MIM结构。

背景技术

电容器是在超大规模集成电路中常用的无源元件，其主要包括多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP，Polysilicon-Insulator-Polysilicon)、金属-绝缘体-硅(MIS，Metal-Insulator-Silicon)和金属-绝缘体-金属(MIM，Metal-Insulator-Metal)等。其中，由于MIM电容器对晶体管造成的干扰最小，且可以提供较好的线性度(Linearity)和对称度(Symmetry)，因此得到了更加广泛的应用，特别是混合信号(Mixed-signal)和射频(RF，RadioFrequency)领域。

目前，不同电容值的电容器需要不同的MIM工艺制作。如图1所示为一个单位MIM结构示意图，该MIM结构包括：第一金属层11；第一介质层12，形成于所述第一金属层11表面；第一上极板13，形成于所述第一介质层12表面；第一顶层金属层31，通过第一通孔41与所述第一金属层11相连；第二顶层金属层32，通过第二通孔42与第一上极板13相连。

如图2为堆叠MIM结构示意图，该MIM结构包括：第一MIM结构1和第二MIM结构2、顶层金属层；所述第一MIM结构1包括：第一金属层11、形成于所述第一金属层11表面的第一介质层12、以及形成于所述第一介质层12表面的第一上极板13；所述第二MIM结构2包括：第二金属层21、形成于所述第二金属层21表面的第二介质层22、以及形成于所述第二介质层22表面的第二上极板23；所述顶层金属层包括：第一顶层金属层31和第二顶层金属层32；所述第二金属层21通过第一通孔41与所述第一上极板13电连；所述第一顶层金属层31通过第二通孔42与所述第二金属层21电连；所述第二顶层金属层32通过第三通孔43与所述第二上极板23电连，所述第二顶层金属层32还通过第四通孔44与所述第一金属层11电连。

以上两种不同电容的MIM结构需要不同的工艺制作，而不同的工艺需要花费大量的人力和物力来维护，这将给生产带来许多困难，生产成本增加。

因此，提供一种能够满足不同电容要求的MIM结构实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种MIM结构，用于解决现有技术中不同的电容器需要不同的制作工艺的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种MIM结构，所述MIM结构至少包括：第一MIM结构和第二MIM结构、顶层金属层以及保险丝；

所述第一MIM结构包括：第一金属层、形成于所述第一金属层表面的第一介质层、以及形成于所述第一介质层表面的第一上极板；

所述第二MIM结构包括：第二金属层、形成于所述第二金属层表面的第二介质层、以及形成于所述第二介质层表面的第二上极板；

所述顶层金属层包括：第一顶层金属层、第二顶层金属层和第三顶层金属层；

所述第二金属层通过第一通孔与所述第一上极板电连；所述第一顶层金属层通过第二通孔与所述第二金属层电连；所述第二顶层金属层通过第三通孔与所述第二上极板电连，所述第三顶层金属层通过第四通孔与所述第一金属层电连；

所述保险丝形成于所述第二顶层金属层和第三顶层金属层之间。

作为本实用新型MIM结构的一种优化的方案，所述第一顶层金属层通过第一焊垫连接外界信号，所述第二顶层金属层通过第二焊垫连接外界信号，所述第三顶层金属层通过第三焊垫连接外界信号。

作为本实用新型MIM结构的一种优化的方案，所述保险丝未熔断，在所述第一焊垫上施加电压，第二焊垫和第三焊垫均接地的情况下，所述MIM结构的电容等于所述第一MIM结构和第二MIM结构的并联电容。

作为本实用新型MIM结构的一种优化的方案，所述保险丝熔断，在所述第一焊垫悬空，所述第二焊垫施加电压，所述第三焊垫接地的情况下，所述MIM结构的电容等于所述第一MIM结构和第二MIM结构的串联电容。

作为本实用新型MIM结构的一种优化的方案，所述保险丝熔断，在所述第一焊垫施加电压，所述第二焊垫悬空，所述第三焊垫接地的情况下，所述MIM结构的电容等于所述第一MIM结构的电容。

作为本实用新型MIM结构的一种优化的方案，所述保险丝熔断，在所述第一焊垫施加电压，所述第二焊垫接地，所述第三焊垫悬空的情况下，所述MIM结构的电容等于所述第二MIM结构的电容。