[实用新型]太赫兹频段屏蔽介质缝隙波导加载介质栅导波结构有效

专利信息
申请号: 201520807770.7 申请日: 2015-10-18
公开(公告)号: CN205081204U 公开(公告)日: 2016-03-09
发明(设计)人: 王志辉 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十研究所
主分类号: H01P3/12 分类号: H01P3/12
代理公司: 成飞(集团)公司专利中心 51121 代理人: 郭纯武
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 赫兹 频段 屏蔽 介质 缝隙 波导 加载 导波 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种能够广泛应用于太赫兹成像和信号发射的导波结构。

背景技术

频率0.1~10.0THz范围内的电磁波被称为太赫兹波。介于毫米波频段与红外线频段之间太赫兹频段电磁波频段属于远红外波段,具有波长短、方向性好、光子能量低、高穿透性等独特性质,太赫兹系统在半导体材料、高温超导材料的性质研究、断层成像技术、无标记的基因检查、细胞水平的成像、化学和生物的检查,以及宽带通信、微波定向等许多领域有广泛的应用。由于THz波所处的特殊位置,它有很多优越的特性和非常重要的学术研究和应用价值,使得世界各国都给予极大的关注,因此太赫兹技术逐渐成为国际研究的热点。它在物理、化学、天文学、生命科学和医学等基础研究领域,太赫兹的应用除了太赫兹信号源,还必须解决太赫兹信号的传输问题。传输线的研究对于太赫兹(THz)技术的发展非常重要,它可以有效地对太赫兹信号进行传输,降低信号的传输损耗。太赫兹波表现出一系列不同于其它电磁辐射的特殊性质:穿透能力强、光子能量低、可得到高分辨率的清晰图像、可进行时间分辨的光谱测量等。但有太赫兹辐射源在输出频率可调性及输出功率方面存在的局限性和太赫兹物体成像以及高功率发射需要在射频输出端具有很强的能量耦合的问题,由于水汽对THz波的强烈吸收,研究适用于不同应用需求的太赫兹波导成为急需,然而当前缺乏合适的导波材料和结构是制约太赫兹技术发展的重要原因。

对于太赫兹导波结构来说,最重要的特性就是:低色散、低损耗以及强能量聚集。当进行长距离电磁信号传输时,波导应具有低色散特性,但对于近距离传输时,低损耗以及强能量聚集特性就显得更为重要。许多研究成果表明,太赫兹能量在许多介质材料中会被大量的吸收,这就给太赫兹导波结构实现低损耗传输以及强能量聚集特性带来了一定的困难。

为了减小平板介质波导的损耗以及降低辐射场,由两介质板形成的介质单缝隙导波结构被提了出来。它可以很好的将电磁场限制在内部空气缝隙处,有效减小波导外部的辐射场。作为对介质单缝隙导波结构的改进,由三层介质板构成的介质双缝隙导波结构被提了出来。相比于介质单缝隙导波结构,介质双缝隙导波结构的场约束能力提高了近30%。尽管这两种介质缝隙导波结构都能够很好实现对场的约束,但均存在一个重要的结构缺陷,那就是作为开放型导波结构,在波导缝隙的外部存在一定的辐射场,对外部环境存在一定的电磁干扰。

在太赫兹频段,物体成像以及高功率发射通常需要在输出端具有很强的能量耦合特性,为了增强能量聚集特性,同时改善传输特性以及减小波导的辐射场,利用不同折射率介质板之间存在电磁波反射的特性,本实用新型对介质缝隙导波结构进行改进,提出了一种太赫兹频段新型屏蔽介质双缝隙波导加载介质栅导波结构。

实用新型内容

本实用新型目的是针对现有太赫兹辐射源在输出功率方面的局限性和当前太赫兹物体成像以及高功率发射需要在射频输出端具有很强的能量耦合的问题,提供一种结构简单,易于加工实现,耦合强度高,工作频带宽的太赫兹平面波导导波结构。

本实用新型的上述目的可以通过以下技术方案予以实现,一种太赫兹频段屏蔽介质缝隙波导加载介质栅导波结构,具有一个矩形金属波导和矩形体介质层,其特征在于:在矩形金属波导1内侧上下底平面上设有通过介质栅5)对称支撑的介质板2),矩形体介质层3)通过介质栅5间隔的空气层4位于矩形金属波导1)的中部腔体中,外部太赫兹射频信号通过矩形金属波导1)内置介质板2、矩形体介质层3,以及介质栅5之间所形成的空气层4实现射频信号传输。

本实用新型具有如下有益效果:

结构简单,易于加工。本实用新型在矩形金属波导1)内侧上下底平面上设有通过介质栅5)对称支撑的介质板2),矩形体介质层3)通过介质栅5)间隔的空气层4)位于矩形金属波导1)的中部腔体中,这种由标准矩形金属波导作为输入腔体框架,内部的介质层构成射频传输的空气腔。而介质层本身的结构形式特别适合与微带进行互连,这就解决了太赫兹信号的平面传输问题。相对于现有技术共面波导、平板波导、介质光纤等导波结构,标准矩形金属波导和介质层的结构形式就具有结构更为简单,而且更易于加工实现的优势,从而解决了现有太赫兹导波结构制造工艺要求高,实际应用较困难,难于加工等问题。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十研究所,未经中国电子科技集团公司第十研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520807770.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top