[实用新型]一种用于拉制区熔8－12寸硅单晶的热场结构

权利要求书

1.一种用于拉制区熔8-12寸硅单晶的热场结构，其特征在于：包括尖角线圈(1)、中热屏(2)和下热屏(3)；

所述尖角线圈(1)位于炉体内多晶棒料(6)与单晶棒料(5)之间的熔区处，所述尖角线圈(1)为一圆形线圈，所述圆形线圈的中心处设置有通孔，所述通孔称为线圈眼(11)，所述圆形线圈外缘与所述线圈眼(11)之间设置有若干条以圆形线圈中心为起点呈圆周分布的线圈缝，所述线圈缝包括一条主缝(13)和若干条副缝(14)，所述主缝(13)一端与所述线圈眼(11)相连通，所述主缝(13)另一端延伸至所述圆形线圈的外缘处，所述副缝(14)的长度短于所述主缝(13)的长度，所述副缝(14)一端与所述线圈眼(11)相连通，所述副缝(14)另一端未延伸至尖角线圈(1)的外缘处，所述相邻两线圈缝之间的线圈形成纵截面为一矩形和一三角形相连的尖角台阶(12)，所述矩形的侧边与所述三角形的底边相连，且所述矩形与所述三角形相连边的长度相等；

所述炉体内设置有环形钢板(4)，所述环形钢板(4)位于所述单晶棒料(5)外侧，所述钢板(4)上端固定有中热屏(2)，所述中热屏(2)为一圆柱形筒体，所述钢板(4)下端固定有下热屏(3)，所述下热屏(3)为一直径从下到上逐渐减小的锥形筒体。

2.根据权利要求1所述的用于拉制区熔8-12寸硅单晶的热场结构，其特征在于：所述尖角线圈(1)的直径为160-300mm。

3.根据权利要求1所述的用于拉制区熔8-12寸硅单晶的热场结构，其特征在于：所述副缝(14)的个数为3条，所述副缝(14)的宽度为1-2mm，所述主缝(13)的宽度为1-3mm。

4.根据权利要求1所述的用于拉制区熔8-12寸硅单晶的热场结构，其特征在于：所述三角形为等腰三角形，所述等腰三角形的底边长1-5mm，高为1-3mm。

5.根据权利要求1所述的用于拉制区熔8-12寸硅单晶的热场结构，其特征在于：所述钢板(4)上端设置有将所述中热屏(2)固定住的凸起螺丝，所述钢板(4)下端设置有将所述下热屏(3)吊起的螺丝。

6.根据权利要求1所述的用于拉制区熔8-12寸硅单晶的热场结构，其特征在于：所述中热屏(2)采用的材料是钨或钼，所述下热屏(3)采用的材料是钨或钼。

7.根据权利要求1所述的用于拉制区熔8-12寸硅单晶的热场结构，其特征在于：所述中热屏(2)包括1-10层，单层厚度为0.5-2mm，层与层之间的间距为2-5mm。

8.根据权利要求1所述的用于拉制区熔8-12寸硅单晶的热场结构，其特征在于：所述中热屏(2)的内壁直径为250-500mm，高度为100-300mm。

9.根据权利要求1所述的用于拉制区熔8-12寸硅单晶的热场结构，其特征在于：所述下热屏(3)包括1-5层，单层厚度为0.5-2mm，层与层之间的间距为2-5mm。

10.根据权利要求1所述的用于拉制区熔8-12寸硅单晶的热场结构，其特征在于：所述下热屏(3)的下口内壁直径为250-300mm，上口内壁直径为300-400mm。