[实用新型]一种全自动型等离子体化学气相淀积台

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种全自动型等离子体化学气相淀积台。

背景技术

气相沉积技术是利用气相中发生的物理、化学过程，在工件表面 形成功能性或装饰性的金属、非金属或化合物涂层。气相沉积技术按 照成膜机理，可分为化学气相沉积、物理气相沉积和等离子体气相沉 积。

在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积 的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法。等离子体增强化 学气相沉积是：在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子 体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。[1]该 方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置 于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度， 以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活 化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不 仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉 积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方 法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。

目前现有的等离子体化学气相淀积台结构复杂，安装不方便，加 工时线圈材料产生的气体容易造成膜层污染，影响加工的质量。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构简单，加工时不会 造成膜层污染，能够得到均匀的膜层的全自动型等离子体化学气相淀 积台。

为解决上述问题，本实用新型采用如下技术方案：

一种全自动型等离子体化学气相淀积台，包括反应管、高频线圈、 壳体和真空泵，所述反应管设在壳体上，所述反应管为石英反应管， 所述反应管与壳体无缝连接，所述高频线圈设在反应管外侧，所述真 空泵设在壳体底部，反应管能够进行工件表面或近表面空间进行化学 反应，生成固态膜，高频线圈能够激发等离子体，使得反应气体被激 活，回转轴能够带动基板转动，保持固态膜表面均匀，所述反应管中 部设置有通气管，所述通气管底部设置有过滤器，所述壳体内设置有 基板和基板支架，所述基板上设置有等离子体，所述基板与基板支架 固定连接，所述基板支架下方设置有加热器和回转轴，所述回转轴与 基板支架传动连接。

作为优选，所述加热器为电加热器，保持加热效率高。

作为优选，所述回转轴底部设置有轴承，方便回转轴的转动。

作为优选，所述轴承与壳体固定连接，保持结构稳定性好。

作为优选，所述反应管顶部成弧形设置，能够在保持结构稳固。

本实用新型的有益效果为：设置的反应管能够进行工件表面或近 表面空间进行化学反应，生成固态膜，高频线圈能够激发等离子体， 使得反应气体被激活，回转轴能够带动基板转动，保持固态膜表面均 匀。

附图说明

图1为本实用新型一种全自动型等离子体化学气相淀积台的结 构示意图。

具体实施方式

如图1所示，一种全自动型等离子体化学气相淀积台，包括反应 管1、高频线圈2、壳体3和真空泵4，所述反应管1设在壳体3上， 所述反应管1为石英反应管，所述反应管1与壳体3无缝连接，所述 高频线圈2设在反应管1外侧，所述真空泵4设在壳体3底部，所述 反应管1中部设置有通气管5，所述通气管5底部设置有过滤器6， 所述壳体3内设置有基板7和基板支架8，所述基板7上设置有等离 子体9，所述基板7与基板支架8固定连接，所述基板支架8下方设 置有加热器10和回转轴11，所述回转轴11与基板支架8传动连接。

所述加热器10为电加热器，在使用时，保持加热效率高。

所述回转轴11底部设置有轴承12，在使用时，方便回转轴11 的转动。

所述轴承12与壳体3固定连接，在使用时，保持结构稳定性好。

所述反应管1顶部成弧形设置，在使用时，能够在保持结构稳固。

在使用时，将工件放在基板7上，回转轴11带动基板支架8转 动，高频线圈2激活等离子体9使得通气管5进入的气体发生反应， 废气通过真空泵4排出。

本实用新型的有益效果为：设置的反应管能够进行工件表面或近 表面空间进行化学反应，生成固态膜，高频线圈能够激发等离子体， 使得反应气体被激活，回转轴能够带动基板转动，保持固态膜表面均 匀。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保 护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都 应涵盖在本实用新型的保护范围之内。