[实用新型]一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环有效
申请号: | 201520811845.9 | 申请日: | 2015-10-19 |
公开(公告)号: | CN205035488U | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 刘铮;王遵义;娄中士;韩暐;涂颂昊;孙昊;王彦君;张雪囡;由佰玲 | 申请(专利权)人: | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
主分类号: | C30B13/16 | 分类号: | C30B13/16;C30B29/06 |
代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人: | 陈雅洁 |
地址: | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 区熔硅单 晶轴 径向 电阻率 均匀 反射 | ||
1.一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环,其特征在于:包括保温筒(1)、冷却水管道(2)和掺杂管道(3),所述保温筒(1)为一圆柱形筒体,所述筒体的外壁上套设有环形的冷却水管道(2),所述冷却水管道(2)位于所述筒体上部,所述冷却水管道(2)上设置有进水口(21)和出水口(22),所述筒体外壁上紧挨冷却水管道(2)下端处,套设有环形的掺杂管道(3),所述掺杂管道(3)上设有若干个管道进气口(31),所述筒体的筒壁上设有若干个与所述掺杂管道(3)相连通的筒体进气口(11)。
2.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环,其特征在于:所述冷却水管道(2)和掺杂管道(3)均以焊接的方式固定在所述筒体的外壁上。
3.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环,其特征在于:所述冷却水管道(2)可为圆管或方管,所述掺杂管道(3)可为圆管或方管。
4.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环,其特征在于:所述冷却水管道(2)和掺杂管道(3)的材质为铜。
5.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环,其特征在于:所述保温筒(1)的材质为铜或银。
6.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环,其特征在于:所述管道进气口(31)的个数为2个。
7.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环,其特征在于:所述筒体进气口(11)的个数为2-6个。
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