[实用新型]低热膨胀系数PTFE覆铜板

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路板技术领域，特别是涉及一种低热膨胀系数PTFE覆铜板。

背景技术

在高频基板行业内，PTFE覆铜板的介电常数、介质损耗、吸水率和频率特性都最好，且当产品应用频率高过10GHZ时，只有PTFE覆铜板才能适用。但现有PTFE覆铜板都是用聚四氟乙烯树脂玻璃纤维布作为基材，再在基材两侧设置铜箔组成，这种PTFE覆铜板热膨胀系数大，介质软不方便加工；而且，PTFE介电常数较低，只有2点多。

发明内容

针对上述现有技术现状，本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种热膨胀系数低、介电常数高的PTFE覆铜板。

为了解决上述技术问题，本实用新型所提供的一种低热膨胀系数PTFE覆铜板，包括：

基板；和

设置于所述基板两侧的铜箔；

所述基板包括若干层叠置在一起的SiO₂改性聚四氟乙烯树脂玻璃纤维布。

在其中一个实施例中，所述基板还包括若干层PTFE膜，若干层所述PTFE膜与若干层所述SiO₂改性聚四氟乙烯树脂玻璃纤维布相互间隔层叠。

在其中一个实施例中，所述基板与所述铜箔之间设置有PFA膜。

在其中一个实施例中，所述铜箔面对所述基板的表面为凹凸面。

在其中一个实施例中，所述铜箔面对所述基板的表面的粗糙度为2.5um-3.5um，所述PFA膜的厚度为0.015-0.025mm。

在其中一个实施例中，所述基板、所述PFA膜和所述铜箔采用热压工艺叠置在一起。

本实用新型提供的低热膨胀系数PTFE覆铜板，其基本采用SiO₂改性聚四氟乙烯树脂玻璃纤维布，由于介质中添加硬度较高的无机SiO₂，在保证传统PTFE覆铜板自身优异性能的前提下，通过增加其硬度，降低了热膨胀系数，方便加工；而且，SiO₂介电常数高，使得PTFE覆铜板的介电常数高可以达到3以上。

本实用新型附加技术特征所具有的有益效果将在本说明书具体实施方式部分进行说明。

附图说明

图1为本实用新型实施例中的低热膨胀系数PTFE覆铜板结构示意图；

图2为本实用新型实施例中的低热膨胀系数PTFE覆铜板剖面结构示意图；

图3为图2中I处的局部放大示意图。

附图标记说明：10、基板；11、SiO₂改性聚四氟乙烯树脂玻璃纤维布；12、PTFE膜；20、铜箔；30、PFA膜。

具体实施方式

下面参考附图并结合实施例对本实用新型进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，以下各实施例及实施例中的特征可以相互组合。

如图1、2所示，本实用新型其中一个实施例中的低热膨胀系数PTFE覆铜板包括基板10和设置于所述基板10两侧的铜箔20，所述基板10包括若干层相互叠置在一起的SiO₂改性聚四氟乙烯树脂玻璃纤维布11。SiO₂改性聚四氟乙烯树脂玻璃纤维布11为在传统聚四氟乙烯树脂玻璃纤维布生产工艺中，通过在聚四氟乙烯树脂中添加SiO₂制备而成。由于介质中添加硬度较高的无机SiO₂，使得在保证传统PTFE覆铜板自身优异性能的前提下，通过增加其硬度，降低了热膨胀系数；而且，SiO₂介电常数高，使得PTFE覆铜板的介电常数高可以达到3以上。

较优地，所述基板10还包括若干层PTFE膜12，若干层所述PTFE膜12与若干层所述SiO₂改性聚四氟乙烯树脂玻璃纤维布11相互间隔层叠。这样SiO₂改性聚四氟乙烯树脂玻璃纤维布11通过PTFE膜12分隔开来，使得SiO₂改性聚四氟乙烯树脂玻璃纤维布11与SiO₂改性聚四氟乙烯树脂玻璃纤维布11不直接接触，保持整体介质中SiO₂分散性。

较优地，所述基板10与所述铜箔20之间设置有PFA膜30。PFA(Polyfluoroalkoxy，可溶性聚四氟乙烯)为少量全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物，性能与PTFE相比无变化，熔融粘性强，可解决PTFE覆铜板铜箔附着力差的问题，附着力从原本的0.7n/mm到1.2n/mm；而且，避免SiO₂颗粒直接与铜面接触影响信号在介质中的传播质量。