[实用新型]中压变频电力电缆有效

专利信息
申请号: 201520817417.7 申请日: 2015-10-21
公开(公告)号: CN204991268U 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 胡涛;赵云;卫建良;管永生;王雪 申请(专利权)人: 湖北龙腾红旗电缆(集团)有限公司
主分类号: H01B9/02 分类号: H01B9/02;H01B7/17;H01B7/02;H01B3/44
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 成钢
地址: 443004 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 变频 电力电缆
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种电缆,尤其是一种用于变频调速装置的中压变频电力电缆。

背景技术

近年来,变频调速装置凭借其节能、省力、易于自动控制的显著优势,成为电力传动的中枢设备,促使变频调速技术越来越广泛地深入到各行各业中。

随着现代电力电子技术和微电子技术的迅猛发展,高压大功率变频调速装置不断地成熟起来,原来一直难于解决的高压问题,近年来通过器件串联或单元串联得到了很好的解决。目前,在国内有不低于200家的低压变频器厂商,其大部分为AC380V的低压产品,而在中压大功率变频器方面,在30家左右。国产高压变频器的功率也越做越大,目前国内最大的应用做到了8000KW。国内普遍使用0.6/1kV及以下变频电力电缆,由于输出功率有限,使用受到限制。

由于髙次谐波的频率为基波的3~8倍,因此由电感、电容产生的阻抗占比率与基波相比要大得多,这足以引起对无功损耗的重视。变频电源的频率调节范围较宽,不论频率髙低,具有一个主频率的波形轮廓。它包含了许多高次谐波,作为一种行波经多次反射,幅值叠加可达到工作电压的数倍,电缆越长,幅值越高,若电缆绝缘安全系数不高,就会击穿。现有一般电力电缆经常发生击穿情况。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种中压变频电力电缆,可以解决电缆绝缘安全系数不高,易被击穿的问题,绝缘性能好,可应对高频脉冲反射叠加电压的冲击,抗干扰性能好,适应多种敷设环境。

为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:一种中压变频电力电缆,包括缆芯,缆芯外由内至外依次套设有内衬层、总屏蔽层以及低烟无卤外护套层;

缆芯由三根绝缘线芯对称成缆形成;

绝缘线芯由内至外依次由导体层、导体屏蔽层、交联聚乙烯绝缘层、绝缘屏蔽层以及分相屏蔽层组成,交联聚乙烯绝缘层的厚度为5.0-5.5毫米;

分相屏蔽层和总屏蔽层为铜丝疏绕加铜带绕包层,铜丝和铜带的绕包方向相反。

绝缘屏蔽层为可剥离型绝缘屏蔽层,厚度为0.64-0.8毫米。

分相屏蔽层和总屏蔽层中,铜丝疏绕节距为铜丝屏蔽外径的14~18倍,铜丝的疏绕方向为左向,铜丝外绕包有铜带,铜带的绕包方向为右向。

导体屏蔽层、交联聚乙烯绝缘层及绝缘屏蔽层采用三层共挤的方式套设于导体层外。

本实用新型提供的中压变频电力电缆,有益效果如下:

1、利用加厚的交联聚乙烯绝缘层,使得本实用新型具有优异的绝缘性能;

2、采用导体屏蔽层、绝缘层以及绝缘屏蔽层三层共挤的方式,层间光滑,均化电场,提髙绝缘性能,可应对高频脉冲反射叠加电压的冲击。

3、采用分相屏蔽层及总屏蔽层的方式,实现了整个电缆完全密封屏蔽效果,使得屏蔽抑制系数小于0.01。

4、三根绝缘线芯对称成缆,良好的对称电缆结构有更好的电磁相容性,能抑制电磁波干扰,提高电缆的抗千扰性能。

5、分相屏蔽层和总屏蔽层为铜丝疏绕加铜带绕包层,铜丝和铜带的绕包方向相反,实现了整个电缆完全密封屏蔽效果,屏蔽抑制系数小于0.01,能有效地抑制高次谐波、电磁波的辐射和传导,达到了电缆各项电气参数的对称平銜,在含有高次平衡状态下(包括电感、电容等各种电气参数),传输阻抗低、髙次谐波发射量小。电缆处于最佳状态而充分地发挥其绝缘水平,确保在髙频脉冲发射作用下保持性能稳定,安全可靠,并具有良好的综合性能,适应多种敷设环境,保证电缆运行长期可靠。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明:

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

如图1所示,一种中压变频电力电缆,包括缆芯,缆芯外由内至外依次套设有内衬层6、总屏蔽层7以及低烟无卤外护套层8;

缆芯由三根绝缘线芯对称成缆形成;

绝缘线芯由内至外依次由导体层1、导体屏蔽层2、交联聚乙烯绝缘层3、绝缘屏蔽层4以及分相屏蔽层5组成,交联聚乙烯绝缘层3的厚度为5.0-5.5毫米;

分相屏蔽层5和总屏蔽层7为铜丝疏绕加铜带绕包层,铜丝和铜带的绕包方向相反。

绝缘屏蔽层4为可剥离型绝缘屏蔽层,厚度为0.64-0.8毫米。

分相屏蔽层5和总屏蔽层7中,铜丝疏绕节距为铜丝屏蔽外径的14~18倍,铜丝的疏绕方向为左向,铜丝外绕包有铜带,铜带的绕包方向为右向。

导体屏蔽层2、交联聚乙烯绝缘层3及绝缘屏蔽层4采用三层共挤的方式套设于导体层1外。

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