[实用新型]一种真空半导体三极管有效
| 申请号： | 201520819267.3 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN205016491U | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 许霞林 | 申请（专利权）人： | 深圳市九鼎安电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J21/10 | 分类号： | H01J21/10;H01J19/38;H01J19/70 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518116 广东省深圳市龙岗区龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 半导体 三极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种真空半导体三极管，包括顶板（1）、支架（2）、底板（3）、灯丝（4）、阴极（5）、栅极（6）、屏极（7）、管壳（8）和管脚（9），其特征在于：所述灯丝（4）设置在所述底板（3）上，所述支架（2）连接所述顶板（1）和底板（3），所述灯丝（4）外侧设置有阴极（5），所述栅极（6）设置于所述阴极（5）外侧，所述屏极（7）设置于所述阴极（5）外侧，所述阴极（5）为条形片状，所述栅极（6）为螺旋形状，所述屏极（7）为环形筒状；所述阴极（5）、栅极（6）设置在底板（3）上，所述屏极（7）设置在所述支架（2）上，所述顶板（1）、支架（2）、底板（3）、灯丝（4）、阴极（5）、栅极（6）、屏极（7）均设置于所述管壳（8）内部，所述管脚（9）通过所述底板（3）与所述灯丝（4）、阴极（5）、栅极（6）和屏极（7）相连接。
2.根据权利要求1所述的一种真空半导体三极管，其特征在于：所述管壳（8）内部为真空。
3.根据权利要求1所述的一种真空半导体三极管，其特征在于：所述顶板（1）上设置有吸气剂（10）。
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