[实用新型]一种稳压半导体二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种二极管，特别是一种稳压半导体二极管。

背景技术

发光二极管为熟知的电子组件，其限制了电荷载子的流动方向。发光二极管容许电流往预定的方向流动，且实质阻挡通往相反于预定的方向的电流。在没有二极管的情形下，大部分的电子装置无法进行操作。

大部分惯用的发光二极管为p-n接面二极管，其由半导体材料所构成，例如硅、砷化镓或碳化硅，其内具有杂质元素，用以调整其操作特性。p-n接面二极管广泛使用于低电压开关、电源供应器、电源转换器及相关应用。在现有技术中，当在阴极(n侧)侧施加正电压、在阳极(p-侧)侧施加负电压时，上述p-n接面二极管会阻挡电流直至阴极电压高到足以发生崩溃。在反向偏压的操作模式中，从阴极至阳极的电流非常低，且称其为漏电流。当在阳极侧施加正电压、在阴极侧施加负电压时，称此操作模式为正向偏压。从阳极至阴极的电流随着正向偏压电压的增加而增加。因电流上升的作用，当达到阈值电压时，二极管将切换至导通状态。

但是目前的电压非常不稳，易出现损坏二极管，使用寿命极短。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提使用寿命长、稳压的一种稳压半导体二极管。

为了实现上述目的，本实用新型所设计的一种稳压半导体二极管，包括半导体二极管，该半导体二极管包括阳极导杆和阴极导杆，该半导体二极管内设置有连接阳极导杆的第一重掺杂区以及连接阴极导杆的第二重掺杂区，该半导体二极管端面上还设置有由氮化硅构成的保护膜，该保护膜设置于阳极导杆和阴极导杆之间，该第一重掺杂区包括氮化物半导体和金属层，氮化物半导体和金属层之间欧姆接触，在半导体二极管外端面上还可以连接稳压电路芯片，该稳压电路芯片并联在半导体二极管上。

优选地，所述的稳压电路芯片中包括正温热敏电阻、电阻、补偿电阻和稳压二极管，稳压二极管一端补偿电阻，另一端串联电阻，上述的补偿电阻另一端与正温热敏电阻串联，所述的电阻与正温热敏电阻紧靠一起且两者端面接触。

本实用新型得到的一种稳压半导体二极管，能够使得在设置了保护膜时的反向泄漏电流非常小，能够实现降低了正向启动电压而减少了导通损耗的二极管，确保其电流和电压在正常范围，使得发光二极管的使用寿命长。

附图说明

图1是本实用新型的整体结构示意图；

图2是稳压电路芯片的结构示意图。

图中：半导体二极管1、阴极导杆2、阳极导杆3、金属层4、氮化物半导体5、保护膜6、稳压电路芯7、稳压电路芯片10、稳压二极管11、补偿电阻12、串联电阻13、正温热敏电阻14。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

实施例：

如图1、图2所示，本实用新型提供的一种稳压半导体二极管，包括半导体二极管1，该半导体二极管1包括阳极导杆3和阴极导杆2，该半导体二极管1内设置有连接阳极导杆3的第一重掺杂区以及连接阴极导杆2的第二重掺杂区，该半导体二极管1端面上还设置有由氮化硅构成的保护膜6，该保护膜6设置于阳极导杆3和阴极导杆2之间，该第一重掺杂区包括氮化物半导体5和金属层4，氮化物半导体5和金属层4之间欧姆接触，能够提高阴极导杆的欧姆性，在半导体二极管外端面上还可以连接稳压电路芯7，该稳压电路芯片7并联在半导体二极管上，可以直接焊接在金属层上与其连接。

优选地，所述的稳压电路芯片10中包括正温热敏电阻14、电阻13、补偿电阻12和稳压二极管11，稳压二极管11一端补偿电阻12，另一端串联电阻13，上述的补偿电阻12另一端与正温热敏电阻14串联，所述的电阻13与正温热敏电阻14紧靠一起且两者端面接触。电阻13与稳压二极管11串联连接，连接在输出电源的两端，根据稳压二极管的参数，通过电阻初始值的设置确定电路中的电流值即是确定电阻初始温度，由于电阻上的电压变化改变电阻的温度，从而改变正稳热敏电阻的阻值，达到限制发光二极管的工作电流。补偿电阻是指：电路中的电阻需要多少补偿只需调整补偿电阻即可，所述的电阻、正温热敏电阻紧靠一起设计主要是为了避免电路中的电流过大，烧坏负载，当电路中的电流过大，电阻温度升高时，达到一个传递给正温热敏电阻能有效的控制电路中的电流值，控制在一个负载的正常值或正常值以下，达到限流作用，根据正温热敏电阻特性相应的限流电路中补偿电阻的电阻值也会增大，根据公式I=U/R可知，电阻越大，相应的电流值会变小，确定的在保护范围内，可以避免发生烧毁现象。