[实用新型]发光元件

说明书

【技术领域】

本实用新型是关于一种电子元件（electroniccomponent），特别是一种发光元件。

【背景技术】

发光二极管（LightEmittingDiode，LED）具有驱动电压低、省电、不易破损以及反应速度快等优点，而且现在已有能发出高强度光线的发光二极管。然而，发光二极管在发光时会产生大量的热能，导致发光效能会降低，甚至可能会造成发光二极管烧毁。

【实用新型内容】

鉴于以上的需求，本实用新型提出一种发光元件，其具有能传递热能，以帮助热能排出的线路层。

本创作提出一种发光元件，其包括线路层、第一封装胶体、至少一发光源以及介电层。线路层具有底面与连接底面的侧面。第一封装胶体覆盖线路层的侧面，并暴露线路层的底面。至少一发光源配置于线路层上，并包括发光层、一对电极以及介电层。这对电极固定在发光层的表面与线路层之间，其中这些电极的厚度小于线路层的厚度。介电层配置于发光层的表面，其中线路层穿过介电层而分别电连接这些电极。

基于上述，在本创作的发光元件中，发光源的电极电连接线路层，并且线路层靠近外部基座，所以线路层不仅能传递电流至发光源，而且也能传递发光源所发出的热能，有助于热能的排出，以减少能对发光源所造成的不良影响，促使发光源可以维持在一定的发光效能。

有关本实用新型的特征、实作与功效，兹配合图式作最佳实施例详细说明如下。

【附图说明】

图1为本实用新型一实施方式的发光元件的剖面示意图。

图2为本实用新型另一实施方式的发光元件的剖面示意图。

图3为本实用新型另一实施方式的发光元件的剖面示意图。

图4为本实用新型另一实施方式的发光元件的剖面示意图。

图5为本实用新型另一实施方式的发光元件的剖面示意图。

【具体实施方式】

图1是本创作一实施例之发光元件的剖面示意图。请参阅图1，发光元件100可以是一种封装的半导体元件，例如是覆晶形式的晶圆级封装发光二极管（FlipChip-ChipScalePackage-LED，FC-CSP-LED），且发光元件100可为单一芯片封装（singlediepackage）。发光元件100包括发光源110、线路层120、第一封装胶体131以及介电层140，其中发光源110配置在线路层120上，而第一封装胶体131位在发光源110的下方，并且包覆线路层120。介电层140配置在线路层120与发光源110之间，而线路层120穿过介电层140而电连接发光源110。

发光源110例如是发光二极管芯片（LEDdie），并包括一对电极111以及发光层112。这些电极111分别为阳极与阴极，并连接发光层112。发光层112具有表面112a与侧面112b，而侧面112b连接表面112a。介电层140配置于表面112a，而线路层120穿过介电层140而电连接这些电极111。这些电极111连接表面112a，并固定在表面112a与线路层120之间。

从图1来看，发光层112能发出光线，并且可以是多层膜（multilayer）或磊晶结构（epitaxystructure）。此外，发光层112可含有半导体材料，其例如是砷化镓（GaAs），而此半导体材料的能隙可介于1.35至6.0eV。

电极111的材料可以是金属材料，例如铬、镍、钛、铜、铂、金、锡或铝，或是这些材料任意组合。此外，在其它未绘示的实施例中，在不妨碍电流之流通下，电极111与发光层112之间还可以形成反射层（未绘示），其材料可为高反射率材料，例如钛、钨、铝或银，或是这些金属的合金或多层膜。或者，反射层可以是绝缘材料，其例如是二氧化硅/二氧化钛的多层膜。

发光源110可以更包括基板113，而发光层112固定在基板113与介电层140之间，其中基板113可以是透光（translucent）、透明（transparent）或不透明（opaque）。基板113能承载发光层112，且也可以用来成长发光层112。另外，基板113的构成材料可以是碳化硅（SiC）、蓝宝石（sapphire）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）及/或磷化镓（GaP）。