[实用新型]陶瓷电容

说明书

【技术领域】

本实用新型是有关一种电容，特别是一种陶瓷电容。

【背景技术】

传统的陶瓷电容是采用网版印刷形成导电层作为电极于陶瓷层的二侧，但容易因为印刷对位偏移或部分漏印而使电容的容积效率较低。因此，传统陶瓷电容的容积效率仍有待提升。

综上所述，如何提供一种具有良好容积效率的陶瓷电容便是目前极需努力的目标。

【实用新型内容】

本实用新型提供一种陶瓷电容，其是利用陶瓷层的多个凹槽结构以增加陶瓷层二侧的导电层间的有效面积，并缩短二侧导电层间的距离，可有效提升陶瓷电容的容积效率。

本实用新型一实施例的一种陶瓷电容包含一陶瓷层、一第一导电层以及一第二导电层。陶瓷层包含一第一表面以及相对的一第二表面，其中，第一表面具有多个第一凹槽。第一导电层，设置于第一表面上。第二导电层，设置于第二表面上。

以下借由具体实施例配合所附的图式详加说明，当更容易了解本实用新型的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

【附图说明】

图1为一示意图，显示本实用新型一实施例的陶瓷电容。

图2为一示意图，显示本实用新型另一实施例的陶瓷电容。

【符号说明】

10陶瓷层

12第一表面

14第二表面

16第一凹槽

18第二凹槽

20第一导电层

30第二导电层

【具体实施方式】

请参照图1，本实用新型的一实施例的陶瓷电容包含一陶瓷层10、一第一导电层20以及一第二导电层30。陶瓷层10具有一第一表面12以及相对的一第二表面14，其中第一表面12具有多个第一凹槽16。于本实施例中，第一凹槽16为一弧面的凹槽。相较于角锥状的凹槽而言，具有弧面或半球状的凹槽结构可减少尖端放电的现象。可以理解的是，图1的一实施例是一种单层陶瓷电容。于一实施例中，陶瓷电容之外观为圆饼状。于部分实施例中，陶瓷电容之外观亦可为立方体，但不以此为限。

为了克服传统导电层的缺点，例如网版印刷所造成的导电层对位偏移或部分漏印，于一实施例中，第一导电层以及第二导电层至少其中之一为真空溅镀的金属层，可克服网版印刷的导电层的缺点。

请继续参照图1，第一导电层20，设置于第一表面12上。第二导电层30，设置于第二表面14上。于一实施例中，第一导电层20以及第二导电层30至少其中之一为银或铜组成的金属层。

以下说明本实用新型一实施例的陶瓷电容的工作原理。计算电容值的公式如式(1)：

C＝k(A/d)(1)

其中，C表示陶瓷电容的电容值；

k表示陶瓷层的介电常数；

A表示第一导电层第二导电层间的有效面积；以及

d表示第一导电层与第二导电层间的距离。

请继续参照图1，可以理解的是，对应第一凹槽16部分的第一导电层20与第二导电层30间的距离必然小于对应平坦部分的第一导电层20与第二导电层30间的距离，且对应第一凹槽16部分的第一导电层20以及第二导电层30间的有效面积必然大于对应平坦部分的第一导电层20以及第二导电层30间的有效面积。因此，在第一导电层20以及第二导电层30间的距离缩小且有效面积增大的情况下，陶瓷电容的电容值将提高。换言之，本实用新型的具有多个第一凹槽结构的陶瓷电容将具有较良好的容积效率。

为了再进一步提升陶瓷电容的容积效率，于一实施例中，除了第一表面具有多个第一凹槽外，第二表面亦具有多个第二凹槽，其中，第二凹槽为一弧面的凹槽。其中，多个第一凹槽和多个第二凹槽可为不规则排列的任意布局，相对于传统陶瓷电容而言，仍具有较高容积效率的技术功效。较佳者，如图2所示，每一第一凹槽16与每一第二凹槽18彼此相对设置，将可使上述式(1)的有效面积A值更大且距离d值更小，因此可进一步提升本实用新型陶瓷电容的容积效率。

于一实施例中，相同外观尺寸的传统陶瓷电容以及如图2一实施例的陶瓷电容，在使用相同陶瓷层及导电层材料的比较基础上，二种陶瓷电容的电容值分别为330pF以及470pF。因此，相较于传统陶瓷电容而言，本实施例的陶瓷电容可明显提升电容值达42.4％。