[实用新型]屏蔽壳

说明书

技术领域

本实用新型涉及射频生产装备领域，尤其涉及一种屏蔽壳。

背景技术

传统的屏蔽壳装备技术是直接用铣过的铝壳通过螺丝固定在需要屏蔽的设备上，这样固体对固体直接物理接触的连接方法看似是面接触，而实际上由于金属壳表面细微凹凸不平等原因这样的接触方式其实是点接触，这样会容易导致屏蔽壳接触不良而导致屏蔽性能变差。

实用新型内容

本实用新型的目的：提供一种屏蔽壳，能解决屏蔽壳装备的接触不良问题。

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案是：

一种屏蔽壳，包括屏蔽壳本体、被屏蔽电路板及多个低温锡膏；所述的多个低温锡膏均匀分布在所述的屏蔽壳本体上，所述的低温锡膏通过回流焊呈面状连接在所述的屏蔽壳本体上；所述的屏蔽壳本体通过所述的多个低温锡膏与所述的被屏蔽电路板接触连接。

上述的屏蔽壳，其中，所述的面状的低温锡膏由粒状的低温锡膏粒融化而成。

上述的屏蔽壳，其中，所述的低温锡膏的厚度为0.02mm。

上述的屏蔽壳，其中，相邻两个所述的低温锡膏的边缘处相互接触。

本实用新型将传统的固体对固体的点接触通过较软的锡膏实现面接触从而大大减小了接触不良的可能性，加强了屏蔽壳的屏蔽性能。

附图说明

图1是本实用新型屏蔽壳的分解图。

具体实施方式

以下结合附图进一步说明本实用新型的实施例。

请参见附图1所示，一种屏蔽壳，包括屏蔽壳本体1、被屏蔽电路板2及多个低温锡膏3；所述的多个低温锡膏3均匀分布在所述的屏蔽壳本体1上，所述的低温锡膏3通过回流焊呈面状连接在所述的屏蔽壳本体1上；所述的屏蔽壳本体1通过所述的多个低温锡膏3与所述的被屏蔽电路板2接触连接。

所述的面状的低温锡膏3由粒状的低温锡膏粒融化而成。

所述的低温锡膏3的厚度为0.02mm。

相邻两个所述的低温锡膏3的边缘处相互接触。

首先根据低温锡膏粒的体积以及形变后的面积计算出低温锡膏粒的排布模式来开钢网。例如，压缩形变前低温锡膏粒的高度为0.18mm，压缩形变后高度为0.02mm，低温锡膏3的形状近似为立方体，则体积公式V=H*S(H为高度，S为面积)，则形变后的面积S2=S1*0.18/0.02=9S1，面积变成了原来的9倍，边长变成了原来的3倍。因此，将形变前的低温锡膏粒排布成间隔两个边长的距离即可让形变的面状的低温锡膏3彼此接触。然后以计算的结果来开钢网模具。

低温锡膏粒融化的温度约为200℃，于是屏蔽壳本体1与被屏蔽电路板2从原先的点接触变成了面接触，从而加大了接触面积增强了电路的射频导通性。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“厚度”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

综上所述，本实用新型将传统的固体对固体的点接触通过较软的锡膏实现面接触从而大大减小了接触不良的可能性，加强了屏蔽壳的屏蔽性能。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用附属在其他相关产品的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。