[实用新型]一种辅助LDO电路及切换供电电路有效

专利信息
申请号: 201520840443.1 申请日: 2015-10-27
公开(公告)号: CN205121403U 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 刘启付;王铭义;袁奥;马洋 申请(专利权)人: 上海芯圣电子股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201616 上海市松江*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 辅助 ldo 电路 切换 供电
【权利要求书】:

1.一种辅助LDO电路,其特征在于,包括:

用于产生参考电压的带隙基准电路;

用于向负载供电的第一负反馈电路,所述第一负反馈电路与所述带隙基准电路连接;

与第一负反馈电路连接的第一供电输出端。

2.根据权利要求1所述的辅助LDO电路,其特征在于,所述带隙基准电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PNP三极管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第一电阻和第二电阻;

所述第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管的源极均与电源连接,第二PMOS晶体管的栅极与第二PMOS晶体管的漏极、第一PMOS晶体管的栅极、第三PMOS晶体管的栅极均连接,第一PMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的漏极连接,第一NMOS晶体管的栅极与第二NMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极均连接,第二NMOS晶体管的漏极与第二PMOS晶体管的漏极连接,第一PNP三极管的发射极与第一NMOS晶体管的源极连接,第一PNP三极管的基极与第二PNP三极管的基极、第一PNP三极管的集电极、第二PNP三极管的集电极、第三PNP三极管的基极、第三PNP三极管的集电极均连接且接地,第二PNP三极管的发射极通过第一电阻与第二NMOS晶体管的源极连接,第三PNP三极管的发射极通过第二电阻与第三PMOS晶体管的漏极连接。

3.根据权利要求1或2所述的辅助LDO电路,其特征在于,所述第一负反馈电路包括第四PMOS晶体管、第一运算放大器、第三电阻和第四电阻;

所述第四PMOS晶体管的栅极与第一运算放大器的输出端连接,第四PMOS晶体管的源极与电源连接,第四PMOS晶体管的漏极通过第三电阻与所述第一运算放大器正向输入端连接,第一运算放大器的反向输入端与第三PMOS晶体管的漏极连接,第一运算放大器的正向输入端通过第四电阻接地,第三PMOS晶体管的栅极与第一运算放大器的偏置端连接,第四PMOS晶体管的漏极与第一供电输出端连接。

4.一种切换供电电路,其特征在于,包括:

辅助LDO电路;

主LDO电路,所述主LDO电路包括第二负反馈电路、向第二负反馈电路提供参考电压的VBG模块、与第二负反馈电路连接的第三开关;

分别与所述辅助LDO电路和主LDO电路中第二负反馈电路连接的CTRL电路。

5.根据权利要求4所述的切换供电电路,其特征在于,所述第二负反馈电路包括第二运算放大器、第五PMOS晶体管、第五电阻和第六电阻、第二供电输出端;

所述第二运算放大器的反向输入端连接VBG模块,第二运算放大器的正向输入端通过第五电阻与第五PMOS晶体管的漏极连接,第二运算放大器的输出端与第五PMOS晶体管的栅极连接,第五PMOS晶体管的源极与电源连接,所述第二运算放大器的正向输入端通过第六电阻与第三开关连接,所述第三开关的另一端接地,第五PMOS晶体管的漏极连接第二供电输出端。

6.根据权利要求4或5所述的切换供电电路,所述第三开关为第三NMOS晶体管,所述第三NMOS晶体管的漏极与第六电阻连接,第三NMOS晶体管的源极接地。

7.根据权利要求4所述的切换供电电路,其特征在于,所述辅助LDO电路包括:

用于产生参考电压的带隙基准电路;

用于向负载供电的第一负反馈电路,所述第一负反馈电路与所述带隙基准电路连接;

与第一负反馈电路连接的第一供电输出端。

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