[实用新型]一种高穿透性导电薄膜有效
| 申请号： | 201520841483.8 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN205122220U | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李伟明;蓝银锋 | 申请（专利权）人： | 汕头市东通光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京精金石专利代理事务所(普通合伙) 11470 | 代理人： | 刘晔 |
| 地址： | 515071 广东省汕头市濠江区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 穿透性 导电 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种高穿透性导电薄膜，其特征在于主要包括有：基材层、粘附层、氧化铌层、氧化硅层、透明导电薄膜层和硬化层，所述粘附层位于基材层的上表面，所述氧化铌层位于粘附层上表面，所述氧化硅层位于氧化铌层上表面，所述透明导电薄膜层位于氧化硅层上表面，所述硬化层位于基材层的下表面。
2.如权利要求1所述的高穿透性导电薄膜，其特征在于：所述氧化铌层的厚度为21~23nm，折射率为2.0~2.5。
3.如权利要求1所述的高穿透性导电薄膜，其特征在于：所述氧化硅层的厚度为58~62nm，折射率为1.45~1.47。
4.如权利要求1所述的高穿透性导电薄膜，其特征在于：所述基材层为可弹性弯折的聚对苯二甲酸乙二醇酯层。
5.如权利要求1所述的高穿透性导电薄膜，其特征在于：所述透明导电薄膜层的厚度为25~35nm。
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