[实用新型]一种太阳能电池防湿膜有效
申请号: | 201520841754.X | 申请日: | 2015-10-28 |
公开(公告)号: | CN205050843U | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 李伟明;蓝银锋 | 申请(专利权)人: | 汕头市东通光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 北京精金石专利代理事务所(普通合伙) 11470 | 代理人: | 刘晔 |
地址: | 515071 广东省汕头市濠江区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 防湿 | ||
技术领域
本实用新型属于薄膜材料领域,特别涉及一种太阳能电池防湿膜。
背景技术
太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”,是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到,瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。太阳能电池由于所使用的光电转换层的材料多为高分子材料,可使用一些简单的形成方法例如涂布法或者喷墨法来制作光电转换层,因此开始获得产业界的重视。
有机太阳能电池虽然具备很多优点,但是其所使用的有机光电转换材料却对水气相当敏感,因此通常在使用一段时间后会因为水气的渗入而使其使用寿命变短或者使用效率降低。因此,急需一种阻隔水气入侵的防湿膜。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种太阳能电池防湿膜,本太阳能电池防湿膜利用氧化层组阻隔水气的同时具备防老化的效果,能够大大延长太阳能电池的使用寿命。
为实现上述技术方案,本实用新型提供了一种太阳能电池防湿膜,主要包括有:基材层、交错堆叠的氧化物层组、防老化层组、介电质层、粘附层和紫外光吸收层,所述氧化物层组包括氧化钽层和碳化硅层的交错堆叠结构,所述氧化钽层位于基材层的上表面,所述碳化硅层位于氧化钽层上表面,所述防老化层组包括聚氯乙烯层和聚丙烯层,所述聚氯乙烯层位于碳化硅层上表面,所述聚丙烯层位于聚氯乙烯层上表面,所述介电质层位于聚丙烯层的上表面,所述粘附层位于基材层的下表面,所述紫外光吸收层位于粘附层的下表面。
在上述技术方案中,所述基材层为可弹性弯折的聚对苯二甲酸乙二醇酯层。
在上述技术方案中,所述基材层的厚度为50μm~125μm。
在上述技术方案中,所述氧化钽层的单层厚度为10nm~15nm。
在上述技术方案中,所述碳化硅层的单层厚度为20nm~25nm。
在上述技术方案中,所述聚氯乙烯层的厚度为15nm~25nm。
在上述技术方案中,所述聚丙烯层的厚度为15nm~25nm。
在上述技术方案中,所述介电质层的厚度为50nm~100nm。
在上述技术方案中,所述紫外光吸收层的厚度为30nm~50nm。
本实用新型相较于现有技术的有益效果在于:本实用新型提供的太阳能电池防湿膜利用氧化物层组作为阻水层,大大简化了现有技术中复杂的防水膜层结构,同时设置防老化层组可以有效减缓太阳能电池的老化速度,另外设置介电质层和紫外光吸收层能够增强太阳能电池对光的吸收。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图中:10-基材层,20-氧化物层组,21-氧化钛层,22-碳化硅层,30-防老化层组,31-聚氯乙烯层,32-聚丙烯层,40-介电质层,50-粘附层,60-紫外光吸收层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。本领域普通人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,均属于本实用新型的保护范围。
实施例1:一种太阳能电池防湿膜。
参照图1所示,本实施例提供的太阳能电池防湿膜,主要包括有:基材层10、氧化物层组20、防老化层组30、介电质层40、粘附层50和紫外光吸收层60,所述氧化物层组20包括氧化钽层21和碳化硅层22,所述氧化钽层21位于基材层10的上表面,所述碳化硅层22位于氧化钽层21上表面,所述防老化层组30包括聚氯乙烯层31和聚丙烯层32,所述聚氯乙烯层31位于碳化硅层22上表面,所述聚丙烯层32位于聚氯乙烯层31上表面,所述介电质层40位于聚丙烯层32的上表面,所述粘附层50位于基材层10的下表面,所述紫外光吸收层60位于粘附层50的下表面。
本实施例中,所述基材层10为可弹性弯折的聚对苯二甲酸乙二醇酯层。
本实施例中,所述基材层10的厚度为60μm。
本实施例中,所述氧化钽层21的单层厚度为12nm。
本实施例中,所述碳化硅层22的单层厚度为25nm。
本实施例中,所述聚氯乙烯层31的厚度为20nm。
本实施例中,所述聚丙烯层32的厚度为18nm。
本实施例中,所述介电质层40的厚度为80nm。
本实施例中,所述紫外光吸收层60的厚度为30nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的