[实用新型]一种复合衬底具有其的GaN基LED芯片有效
| 申请号： | 201520843683.7 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN205092261U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 具有 gan led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种复合衬底，其特征在于，所述复合衬底包括彼此复合的第一衬底和第二衬底，其中，所述第一衬底包括上表面及与上表面相背的下表面，所述第一衬底的上表面用于生长GaN外延层，所述第一衬底的下表面用于与所述第二衬底复合，所述第二衬底的热膨胀系数小于3×10-6/K。
2.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述第二衬底的厚度为0.5~10μm。
3.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述GaN外延层包括低温缓冲层，非故意参杂GaN层，n型GaN层，InGaN/GaN量子阱层，p型GaN层。
4.一种GaN基LED芯片，其特征在于，所述GaN基LED芯片包括复合衬底及生长在所述复合衬底上的GaN外延层，所述复合衬底包括彼此复合的第一衬底和第二衬底，其中，所述第一衬底包括上表面及与上表面相背的下表面，所述第一衬底的上表面用于生长所述GaN外延层，所述第一衬底的下表面用于与所述第二衬底复合，所述第二衬底的热膨胀系数小于3×10-6/K。
5.根据权利要求4所述的GaN基LED芯片，所述第二衬底的厚度为0.5~10μm。
6.根据权利要求4所述的GaN基LED芯片，所述GaN外延层包括低温缓冲层，非故意参杂GaN层，n型GaN层，InGaN/GaN量子阱层，p型GaN层。
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