[实用新型]一种高精准过压保护电路

权利要求书

1.一种高精准过压保护电路，其特征在于：包括高精度基准电流产生电路、高精度过压判决时间产生电路和过压保护电阻调节自动控制电路，基准电压分别连接所述高精度基准电流产生电路和高精度过压判决时间产生电路的正输入端，在高精度基准电流产生电路中设有零温漂电阻，高精度基准电流产生电路通过电流镜像单元输出两路镜像高精度基准电流，其中一路镜像高精度基准电流接高精度过压判决时间产生电路的输入端，另一路镜像高精度基准电流接过压保护电阻调节自动控制电路的输入端，所述高精度基准电流产生电路还通过内部调节电阻控制端与过压保护电阻调节自动控制电路相连，过压保护电阻调节自动控制电路上设有内外部调节电阻切换控制单元，基准时钟信号连接高精度过压判决时间产生电路的输入端，高精度过压判决时间产生电路的输出即为过压保护输出端。

2.如权利要求1所述的一种高精准过压保护电路，其特征在于，所述高精度基准电流产生电路中还包括电流源、多级运算放大器和基准电压镜像单元，所述电流源的输入端接电源，输出端接多级运算放大器的输入端，基准电压镜像单元接多级运算放大器的正输入端，基准电压接基准电压镜像单元的输入端，零温漂电阻接基准电压镜像单元的输出端，零温漂电阻连接电流镜像单元的输入端，电流镜像单元的输入端与多级运算放大器的输出端相连，内部调节电阻控制端通过N型场效应晶体管连接在零温漂电阻上。

3.如权利要求1所述的一种高精准过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电阻调节自动控制电路上设有外部调节电阻检测端、上电复位端、充电电容、参考电流源、反相器、D触发器和内外部调节电阻切换控制端ctrl1与ctrl2，外部调节电阻检测端连接在共栅极连接的P型场效应晶体管和N型场效应晶体管的栅极上，P型场效应晶体管的源极为镜像高精度基准电流I2的输入端，N型场效应晶体管的源极接地，P型场效应晶体管和N型场效应晶体管的漏极共联后依次连接充电电容、参考电流源和反相器的输入端，反相器的输出端连接D触发器的输入端，P型场效应晶体管和N型场效应晶体管的共栅极连接D触发器的时钟脉冲端，上电复位端依次通过第一非门和第一与非门连接D触发器的复位端；内外部调节电阻切换控制端ctrl1与ctrl2连接内外部调节电阻切换控制单元的输入端，D触发器的反向输出端连接内外部调节电阻切换控制单元的输入端，内外部调节电阻切换控制单元的一个输出端连接第一与非门的输入端，内外部调节电阻切换控制单元的剩余输出端连接内部调节电阻控制端。

4.如权利要求1所述的一种高精准过压保护电路，其特征在于，所述高精度过压判决时间产生电路上设有带参考电压输入的迟滞比较器、充电电容、电容充电电路和电流源镜像电路，基准时钟信号连接电容充电电路的输入端，镜像高精度基准电流I1连接电容充电电路的输入端，充电电容连接电容充电电路的输出端，充电电容还连接迟滞比较器的输入端，基准电压连接迟滞比较器的参考电压输入端，电流源镜像电路连接迟滞比较器的电压输入和参考电压输入之间，迟滞比较器的输出端为过压保护输出端。

5.如权利要求2所述的一种高精准过压保护电路，其特征在于，所述多级运算放大器是采用若干个N型场效应晶体管和若干个P型场效应晶体管以共源共栅结构搭建而成，所述基准电压镜像单元是两个P型场效应晶体管采用共源极接法的方式连接组成，基准电压连接在一个P型场效应晶体管的栅极，零温漂电阻连接在另一个P型场效应晶体管的栅极，所述电流镜像单元是三个P型场效应晶体管采用共源共栅接法的方式连接组成，零温漂电阻连接在一个P型场效应晶体管的漏极，一路镜像高精度基准电流产生于另一个P型场效应晶体管的漏极，另一路镜像高精度基准电流产生于剩下一个P型场效应晶体管的漏极。

6.如权利要求5所述的一种高精准过压保护电路，其特征在于，所述零温漂电阻是通过正温系数电阻和负温系数电阻按比例串联所形成的等效电阻。