[实用新型]熔射遮敝塞子

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及一种熔射遮敝塞子，特别是涉及一种涉及可用于熔射处理的熔射遮敝塞子。

【背景技术】

在半导体制程中，必须定期或不定期地对半导体制程设备的零件进行清洗及再生，以维持半导体制程设备的效能，并可延长设备的使用寿命。

以物理气相沉积制程为例，物理气相沉积制程主要是在一基板上沉积一薄膜。首先利用一直流电源分别电性耦接至一背板及一遮覆板，通过该背板及该遮覆板于该反应室腔体内形成电场将离子枪束击向金属靶材。在离子枪束撞击靶材后，会将该靶材上的金属溅射在该基板上而形成该薄膜。

通常，物理气相沉积之反应室腔体在使用一段时间后，会在反应室腔体中该遮覆板及母材的表面形成金属镀膜，因此必须对反应室腔体进行洗净与再生，防止金属镀膜破裂或剥落所产生之微尘粒子散布至该基板而影响良率。所谓洗净系指针对反应室腔体中该遮覆板及该母材之金属镀膜的材质选用适当之方法与材料予以去除，例如以酸性或碱性之化学溶液浸泡反应室腔体，将形成于遮覆板及母材表面之金属镀膜溶解分离。所谓再生是指洗净后再以喷砂及整形等方式恢复该遮覆板及母材原有外形与表面特性。然而上述洗净及再生皆会侵蚀与损耗反应室腔体中遮覆板及母材的本体厚度，造成使用寿命减短。

此外，对于反应室腔中的螺丝孔，例如锁固于该母材之间之螺丝孔，上述以化学溶液浸泡反应室腔体、对该遮覆板及该母材喷砂及整形等步骤会使螺丝孔产生扩孔现象，因此在多次进行洗净及再生后，会造成螺丝孔尺寸与原先尺寸有所差异，导致螺丝孔与螺丝在组合时误差过大而使得锁固功能不佳甚至无法继续使用。

并且，由于在前述洗净等过程中，必须使用大量的酸性或碱性之化学溶液，浸泡遮覆板及母材，以溶解金属镀膜，使其与遮覆板及母材分离。由于不可避免地必须使用大量的酸性或碱性之化学溶液，因而在洗净的过程中，必须使用大量的清水来冲洗半导体制程的零件。

【实用新型内容】

本实用新型的主要目的在于提供一种熔射遮敝塞子，所述熔射遮敝塞子包括：

塞子本体，用以塞入半导体设备的零件的表面凹洞内，其中当所述半导体设备的零件的表面被进行熔射处理时，所述塞子本体是塞入所述半导体设备的零件的表面凹洞内，以遮敝所述表面凹洞。

在一实施例中，当所述半导体设备的零件的表面被进行熔射处理时，所述塞子本体是完全遮敝住所述表面凹洞。

相较于现有的熔射设备的问题，在进行熔射处理时，可利用本实施例的熔射设备来进行熔射处理，由于操作人员可位于密闭隔间的外面来进行操作，因而可避免操作人员受到熔射处理的伤害。再者，本实施例的熔射遮敝塞子可用于塞入半导体设备的零件的表面凹洞内，避免熔射处理影响零件的表面凹洞结构。

为让本实用新型的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

【附图说明】

图1及2是本实用新型的熔射遮敝塞子的一实施例的示意图；以及

图3是本实用新型的熔射设备的一实施例的示意图。

【具体实施方式】

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本实用新型可用以实施的特定实施例。本实用新型所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本实用新型，而非用以限制本实用新型。

附图和说明被认为在本质上是示出性的，而不是限制性的。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。另外，为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本实用新型不限于此。

在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的组件被称作“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者也可以存在中间组件。

另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在......上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力方向的顶部上。