[实用新型]一种背表面钝化结构的太阳能电池有效
| 申请号： | 201520856094.2 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN205050845U | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 李小玄;孙当民;朱庆祥;巨小宝;刘洪波;方霆 | 申请（专利权）人： | 西安黄河光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L21/31 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 顾潮琪 |
| 地址： | 710043 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 钝化 结构 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种背表面钝化结构的太阳能电池，其特征在于，包括衬底(5)、局部铝背场(4)和钝化层结构；所述衬底(5)背表面上，自衬底(5)背表面起依次沉积有钝化层结构和局部铝背场(4)；钝化层结构自衬底(5)背表面起，依次包括SiO2钝化膜(1)、Si3N4钝化膜(2)及SixOyNz钝化膜(3)。
2.如权利要求1所述的一种背表面钝化结构的太阳能电池，其特征在于，所述衬底(5)为晶体硅基体。
3.如权利要求1所述的一种背表面钝化结构的太阳能电池，其特征在于，局部铝背场的厚度为10-30μm。
4.如权利要求1所述的一种背表面钝化结构的太阳能电池，其特征在于，所述的SiO2钝化膜的厚度为15-60nm，折射率为1-2.5。
5.如权利要求1所述的一种背表面钝化结构的太阳能电池，其特征在于，所述的Si3N4钝化膜层的厚度为15-60nm，折射率为1-2.5。
6.如权利要求1所述的一种背表面钝化结构的太阳能电池，其特征在于，所述的SixOyNz钝化膜层的厚度为15-60nm，折射率为1-2.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安黄河光伏科技股份有限公司，未经西安黄河光伏科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520856094.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无氟两层共挤光伏背板
- 下一篇：一种车载功放电路封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
