[实用新型]用于曝光的光源模块单元及包括该光源模块单元的曝光装置有效
申请号: | 201520858315.X | 申请日: | 2015-10-30 |
公开(公告)号: | CN205103540U | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 赵南稙;印致億;朴钟沅;宋友莉;丁海一 | 申请(专利权)人: | 赵南稙;东莞华晶光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健;陈国军 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 曝光 光源 模块 单元 包括 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种曝光用光源,其用于光刻工艺(Photolithography),以便在半导体晶元或显示面板等形成微细的电路图案,更为详细地涉及一种用于曝光的光源模块单元及包括该光源模块单元的曝光装置,其是经改良的,以便通过多个紫外线发光元件(UVLED)列阵(array)模块和聚光透镜列阵(array)模块的组合,能够有效提升曝光性能和效率的同时,能够容易且经济可行地替换现有的曝光机的光源。
背景技术
例如,作为电气电子设备的主要部件而内置的半导体元件或电路基板(PCB)及类似于液晶显示器(LCD;LiquidCrystalDisplay)或有机发光二极管(OLED;OrganicLightEmittingDiode)和等离子显示板(PDP;PlasmaDisplayPanel)的影像显示板,在其制造工序上的曝光工艺中,通过被统称为光刻(Photolithography)的光微细加工技术,从而制造为形成有微小电路图案。
通常,现有的曝光工艺中所使用的用于曝光的光源主要使用超高压水银灯或卤素(Halogen)灯,但众所周知地,所述现有的用于曝光的光源不仅有伴随寿命低和电力高消费的低效率及高费用引起的曝光工艺的效率问题,而且在环保方面也暴露出诸多问题。
尤其,近来的液晶显示元件(LCD)或有机发光二极管(OLED)等显示领域的薄膜晶体管(TFT;ThinFilmTransitor)制造或彩色滤光片(CF;ColorFilter)制造时,尽管对利用曝光图案的微细化技术的超高分辨率实现方面市场有切实要求,但是由于利用现有的曝光光源(HgLamp)的曝光图案的微细化工艺的技术局限,十分遗憾的是曝光图案的微细化和显示器产业的核心技术超高分辨率实现方面是不可能的。
此外,由于近来对半导体元件的小型化和大容量化及高度集成化和高密度化的趋势,对曝光图案的微细化和高密度化的要求增加,由此问题在于,通过现有的用于曝光的光源实现对现有的微细化图案的要求方面存在限制。
由此,近来,例如,类似于液体浸没式曝光或极紫外线曝光等的新曝光技术的开发正在积极进行中,尤其紫外线发光元件(UVLED)作为一种耗电低和寿命长、单一波长的选择性使用和短波长使用可能、以及绿色环保的用于曝光的光源,正作为现有的用于曝光的光源的替代品而备受瞩目。
但是,就将紫外线发光元件(UVLED)用作光源的曝光装置而言,迫切需要开发用于通过可消减光损失的光路径的构成或照明度分布度及光输出的功率的提高、以及曝光图案的微细化的超高分辨率的实现和、小型化、大容量化及高密度化等的高效新光源(UVLED),与此同时,对光学部件、模块、单元等的开发的需要也处于迫切的阶段。
本实用新型在所述的技术背景下得以导出,所述背景技术的问题是本申请人为了导出本实用新型而持有的,或者是在本实用新型的导出过程中新习得或确认的内容,不能视为在本实用新型申请前被一般公众所公知的内容。
【先行技术文献】
【专利文献】
(专利文献1)韩国登记专利公报第10-1440874号
(专利文献2)韩国登记专利公报第10-1401238号
(专利文献3)韩国公开专利公报第10-2012-0095520号
(专利文献4)韩国公开专利公报第10-2015-0049563号
实用新型内容
本实用新型在如上所述的背景技术下,考虑到现有曝光装置的用于曝光的光源存在的问题,为了对所述问题进行改善而提出的,本实用新型的目的在于提供一种低耗电型用于曝光的光源模块单元,其通过多个紫外线发光元件(UVLED)和聚光透镜列阵模块的最优组合,可对聚光效率进行最大化。
本实用新型的另一个目的在于提供一种低耗电型用于曝光的光源模块单元及包括该单元作为光源的曝光装置,其能够有效且突破性地提高曝光性能和曝光效率,以便可实现曝光图案的微细化和高分辨率。
本实用新型的有另一个目的在于提供一种改良为可易于替代为现有曝光装置的光源的、可互换替代的模块单元从而经济可行且实用的低耗电型用于曝光的光源模块单元及包括该单元作为光源的曝光装置。
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