[实用新型]显示基板以及显示装置有效
申请号: | 201520858463.1 | 申请日: | 2015-10-30 |
公开(公告)号: | CN205231063U | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 杨盛际;董学;薛海林;陈小川;王海生;刘英明;赵卫杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 以及 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示基板和 一种显示装置。
背景技术
OLED(有机发光显示器)是当今平板显示器研究领域的热点之 一,与液晶显示器相比,OLED具有低能耗、生产成本低、自发光、 宽视角及响应速度快等优点,目前,在手机、PDA、数码相机等显 示领域OLED已经开始取代传统的LCD显示屏。像素驱动电路设计 是OLED显示器核心技术内容,具有重要的研究意义。
压力感应技术是指对外部受力能够实施探测的技术,这项技术 很久前就运用在工控,医疗等领域。在苹果公司的带动下,许多厂 商正在寻求合适的方案来实现在显示领域尤其是手机或平板领域实 现压力感应,这可以使客户得到更好的人机交互体验。但目前,更 多的是在背光部分或者中框部分增加额外的机构来实现,这种设计, 需要显示基板的结构设计做出改动,而且由于装配公差较大,这种 设计的探测准确性也受到了限制。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,如何高效地将压力传感器整 合至显示基板。
为此目的,本实用新型提出了一种显示基板,包括:
压力传感器,用于感应触控操作,以生成触控信号;
多个像素单元,每个像素单元包含一个像素电路,多个像素电路 中的部分像素电路与所述压力传感器相连,
其中,在第一时段,第一信号使压力传感器和像素电路重置;
在第二时段,第二信号使压力传感器感应触控操作,使像素电路 放电;
在第三时段,第三信号使压力传感器停止工作,使像素电路驱动 像素单元发光。
优选地,显示基板还包括:基底和位于所述基底之下的中框,
其中,所述压力传感器包括多个传感单元和处理单元,每个传感 单元包括:
第一电极,设置在所述基底之上,根据感应到的压力发生形变;
第二电极,设置在所述中框与所述基底之间,与所述第一电极形 成电容,所述电容的电容值根据所述第一电极的形变而改变;
所述处理单元,根据所述电容的电容值变化生成触控信号。
优选地,所述像素电路包括:
第一信号输入端、第二信号输入端、第三信号输入端、第四信号 输入端、第一电压端和第二电压端,所述第一电压端为高电势,所述 第二电压端为低电势,还包括:
第一晶体管,栅极连接至第一信号输入端,源极连接至第一电压 端,漏极连接至第六晶体管的源极;
第二晶体管,栅极连接至第三信号输入端,源极连接至第一晶体 管的漏极,漏极连接至第六晶体管的栅极;
第三晶体管,栅极连接至第二信号输入端,源极连接至第二电压 端,漏极连接至第六晶体管的栅极;
第四晶体管,栅极连接至第三信号输入端,源极连接至第四信号 输入端,漏极连接至第六晶体管的漏极;
第五晶体管,栅极连接至第一信号输入端,源极连接至第六晶体 管的漏极,漏极连接至有机发光器件;
第六晶体管,栅极连接至存储电容;
存储电容,一端连接至第一电压端,另一端连接至第六晶体管的 栅极,
所述压力传感器还包括:
第七晶体管,栅极连接至第二信号输入端,源极连接至第八晶体 管的栅极,漏极连接至第八晶体管的漏极;
第八晶体管,栅极连接至基准电容,源极连接至第九晶体管的漏 极,漏极连接至重置信号输入端;
第九晶体管,栅极连接至第三信号输入端,源极连接至触控接收 信号线;
基准电容,一端连接至所述第一电极,另一端连接至第三信号输 入端;
重置信号输入端和触控接收信号线。
优选地,所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体 管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管和第九晶体 管为P沟道晶体管。
优选地,在第一时段,所述第一信号输入端输入高电势,所述第 二信号输入端输入低电势,所述第三信号输入端输入高电势,所述第 四信号输入端输入低电势,以使所述第一晶体管、第二晶体管、第四 晶体管和第五晶体管关闭,使第三晶体管、第六晶体管和第七晶体管 开启,
所述重置信号输入端输入重置信号,以重置所述第一电极的电 势。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的