[实用新型]一种适用于高精度ADC的低噪声基准电路

权利要求书

1.一种适用于高精度ADC的低噪声基准电路，其特征在于，包括：时钟电路、带有两级斩波调制的带隙基准产生电路和上电快速启动滤波电路；所述带有两级斩波调制的带隙基准输出端与所述快速启动滤波电路的输入端连接；

所述时钟电路包括两相非交叠时钟模块和上电延时信号模块；其中两相非交叠时钟模块输出端连接两级斩波调制器的带隙基准产生电路中的斩波调制器CP1和斩波调制器CP2的输入端，向斩波调制器CP1和斩波调制器CP2提供两相非交叠时钟，上电延时信号模块连接所述的上电快速启动电路的输入端，为上电快速启动电路提供上电延时信号。

2.如权利要求1所述的适用于高精度ADC的低噪声基准电路，其特征在于，所述的带有两级斩波调制器的带隙基准产生电路包括：P型MOS管PM0，P型MOS管PM1，P型MOS管PM2，双极型晶体管Q0，双极型晶体管Q1，双极型晶体管Q2，电阻R1，电阻R2，第一级斩波调制器CP1，第二级斩波调制器CP2，以及运算放大器OP；第一级斩波调制器CP1和第二级斩波调制器CP2用于消除运算放大器的输入失调电压并将运算放大器产生的低频噪声调制至高频。

3.如权利要求2所述的适用于高精度ADC的低噪声基准电路，其特征在于，所述快速启动滤波电路包括：P型MOS管PM3，N型MOS管NM1，N型MOS管NM2，N型MOS管NM3，电阻R3，以及电容器C0。

4.如权利要求3所述的适用于高精度ADC的低噪声基准电路，其特征在于，M3的源极与电源VDD连接，PM3的漏极与二极管连接形式的NM3的栅极和漏极连接，电阻R3的一端与NM3的源极连接，另一端与NM2的漏极连接，NM2的源极接地，栅极与上电延迟信号EN连接。

5.如权利要求3所述的适用于高精度ADC的低噪声基准电路，其特征在于，P型MOS管PM3的栅极与运算放大器OP的输出端连接，即第二级斩波调制器CP2的输出端，从而确定了由P型MOS管PM3、N型MOS管NM3、电阻R3、N型MOS管NM2组成的对地通路上的电流值，其大小可以等于IPTAT，也可以通过调节P型MOS管PM3的尺寸大小调节其电流值大小。

6.如权利要求3所述的适用于高精度ADC的低噪声基准电路，其特征在于，N型MOS管NM1的栅极连接至N型MOS管NM3的栅极和漏极，即V_BIAS，N型MOS管NM1的漏极连接所述的带隙基准产生电路的输出端BG_VOUT，NM1的源级连接电容器C0的上极板，也即整个低噪声基准产生电路的输出端Vref_OUT。