[实用新型]一种镓氮雪崩光电二极管组件

权利要求书

1.一种镓氮雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述镓氮雪崩光电二极管组件包括：镓氮雪崩光电二极管和形成于所述镓氮雪崩光电二极管的衬底的背面的超材料，以使入射光通过超材料之后再进入所述镓氮雪崩光电二极管；所述超材料的电磁共振波长位于280nm-365nm之间。

2.根据权利要求1所述的镓氮雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述超材料包括所述镓氮雪崩光电二极管的衬底背面上的金属薄膜，以及开孔于所述金属薄膜层上且呈周期性排列的十字架结构。

3.根据权利要求2所述的镓氮雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述金属薄膜为银薄膜。

4.根据权利要求2所述的镓氮雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述十字架结构由开口谐振环结构、一字型结构、H型结构或开口圆环结构代替。

5.根据权利要求1所述的镓氮雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述镓氮雪崩光电二极管的衬底为蓝宝石衬底、镓氮衬底或碳化硅衬底。