[实用新型]一种耳机及耳机线控

说明书

技术领域

本实用新型涉及耳机制造技术领域，特别涉及一种耳机线控。还涉及一种包含该耳机线控的耳机。

背景技术

耳机线控是耳机上用于控制喇叭音量、开关等的部件，耳机线控一般包括上盖、下盖和按键，目前通常使用超声熔接技术进行上盖和下盖的结合，即在上盖和下盖上设置熔接线，利用超声熔接设备的上模和下模定位并熔接上盖和下盖。

随着有线耳机功能的增多，按键也相应增多，耳机线控的体积也越来越大，长度不断加长，通常上盖上开设有与按键组合的镂空结构，如果耳机线控的长度超过一定长度口，在进行超声熔接时，耳机线控的部分熔接位置在超声熔接设备的上模和下模的压力作用下发生变形，特别是具有镂空结构的上盖，造成耳机线控的质量不合格。仅通过调整超声熔接设备的参数等方法很难减少耳机线控的变形。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种耳机线控，以减少耳机线控的变形。

本实用新型的另一目的在于提供一种包含该耳机线控的耳机，提高耳机的质量。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种耳机线控，包括结合在一起的上盖和下盖，所述上盖与所述下盖超声熔接固定；所述上盖和所述下盖上间隔设置有多段熔接线；所述上盖的未设置熔接线的位置设置有第一加强结构，所述下盖的未设置熔接线的位置对应设置有与所述第一加强结构配合相接的第二加强结构。

优选的，在上述的耳机线控中，所述第一加强结构为凹陷在所述上盖的熔接部位内的凹槽；所述第二加强结构为凸出所述下盖的熔接部位的且与所述凹槽嵌装配合的凸台。

优选的，在上述的耳机线控中，所述第一加强结构为凸出所述上盖的熔接部位的凸台，所述第二加强结构为凹陷在所述下盖的熔接部位内的且与所述凸台嵌装配合的凹槽。

优选的，在上述的耳机线控中，所述第一加强结构包括凸出所述上盖的熔接部位的第一凸台和凹陷在所述上盖的熔接部位内的第一凹槽，所述第一凸台和所述第一凹槽间隔交替设置；所述第二加强结构包括与所述第一凸台嵌装配合的第二凹槽以及与所述第一凹槽嵌装配合的第二凸台。

优选的，所述上盖的中部位置镂空设置；所述第一加强结构于所述上盖中部的两侧分布。

本实用新型还提供了一种耳机，包括通过导线连接的喇叭和耳机线控，所述耳机线控为以上任一项所述的耳机线控。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型提供的耳机线控中，在上盖和下盖的未设置熔接线的位置分别设置配合相接的第一加强结构和第二加强结构，超声熔接时，通过第一加强结构和第二加强结构的配合连接，利用不易变形的下盖抵挡一部分易发生变形的上盖所受到的变形力，从而减小耳机线控在超声熔接时因受力造成的变形，也就是说，通过第一加强结构和第二加强结构的设置，能够起到一定的限位，防止上盖易变形部位在超声熔接过程中发生较大形变。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种耳机线控的下盖的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种耳机线控的上盖的结构示意图。

在图1-图2中，1为下盖、11为凸台、2为上盖、21为凹槽。

具体实施方式

本实用新型的核心是提供了一种耳机线控，增强了超声熔接部位的结构强度，减小了耳机线控在超声熔接过程的变形。

本实用新型还提供了一种包含该耳机线控的耳机，提高了耳机的质量。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。