[实用新型]一种真空灭弧室有效

专利信息
申请号: 201520901122.8 申请日: 2015-11-12
公开(公告)号: CN205122472U 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 关斌 申请(专利权)人: 成都旭光电子股份有限公司
主分类号: H01H33/664 分类号: H01H33/664
代理公司: 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 代理人: 李安霞
地址: 610500 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 真空 灭弧室
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及电力工程领域,尤其涉及一种真空灭弧室。

背景技术

SF6气体被定为6种受限制的温室气体之一,限制了作为中压两大支柱之一的SF6断路器的发展,促进了具有安全、可靠、免维护、健康环保等特点的真空断路器的快速发展。真空断路器的关键部件是真空灭弧室,它基本上决定了真空断路器的主要性能。真空灭弧室的基本结构是封闭在绝缘外壳内真空环境下的一对可分合的触头,作为壳体的瓷壳或玻璃外壳既起到保证灭弧室内部真空度,维持足够机械强度的作用又起到固体绝缘件的作用。由于陶瓷材料具有良好的绝缘性能和气密性,占有真空灭弧室绝缘外壳结构的主导地位,但在电场强度足够高的时候仍会发生陶瓷材料为电弧击穿而导致真空灭弧室漏气,使灭弧室内部失去真空而失效。特别是,真空灭弧室在两端施加电压的情况下,内部各处存在不同的电场强度,就陶瓷外壳的工况而言,屏蔽罩口部附近电场强度,远大于其他部位,而等壁厚瓷壳的抗击穿强度是各处一样的,因此,屏蔽罩口部易发生电击穿引起失效。

此外,真空灭弧室在老炼和工作时,触头间会发生电弧烧蚀,产生大量金属蒸汽,在陶瓷外壳内壁上沉积成一层金属沉积层,在陶瓷内壁表面形成一层低电阻层,降低陶瓷外壳的内绝缘强度,从而导致真空灭弧室性能降低甚至失效。

发明内容

本实用新型旨在提供一种真空灭弧室,该真空灭弧室能够解决真空灭弧室陶瓷外壳在屏蔽罩口部附近易电击穿和内壁产生轴向连续低电阻金属沉积层的问题。

为达到上述目的,本实用新型是采用以下技术方案实现的:

本实用新型公开的一种真空灭弧室,包括动导电杆、导向套、动盖板、动端封接环、上陶瓷壳、下陶瓷壳、动触头、静触头、静导电杆、静端封接环、波纹管、波纹管屏蔽罩、屏蔽罩、静盖板,所述上陶瓷壳和下陶瓷壳通过金属环用焊料钎焊封接为壳体,所述壳体为圆筒状,两端开口,壳体上、下两段壁厚大于中间壁厚。

优选的,所述壳体在上、下两段内壁设置有波纹结构。

进一步的,所述壳体上、下两段内壁与中间段内壁倾斜连接。

优选的,所述波纹结构为锯齿状。

进一步的,所述波纹结构向壳体开口方向倾斜。

本实用新型采用变壁厚的方案解决真空灭弧室陶瓷外壳口部附近易电击穿的问题。在真空灭弧室的一般工况条件下,陶瓷外壳这一固体介质绝缘材料的击穿电压与其厚度接近成正比关系,厚度越厚,能够击穿陶瓷外壳的电压就越高,在同样电压下,陶瓷外壳越厚,则越不易被击穿。本实用新型在不改变产品外观尺寸的条件下,增加陶瓷外壳口部的壁厚,使得电场强度最高的陶瓷外壳口部附近的厚度增加,从而提高陶瓷外壳的抗电击穿能力。

由于金属蒸汽产生在屏蔽罩内,通过两端的口部向外扩散,具有显著的方向性。扩散出的金属蒸汽在无遮蔽的陶瓷外壳内壁会沉积,而有遮蔽的部位沉积远远轻于无遮蔽部位。本实用新型公开的真空灭弧室采取一种开口朝向陶瓷外壳开口方向的单侧倾斜锯齿状波纹结构,波纹背向蒸汽来向一侧表面被遮蔽成为难沉积面,面向蒸汽来向一侧表面成为易沉积面。这样使金属蒸汽只在易沉积面上沉积,而减少在难沉积面上的沉积。沉积的金属层在陶瓷外壳内表面只能成为环状轴向不连续面,从而避免在陶瓷外壳内壁产生轴向连续金属沉积面,从而保证陶瓷外壳内绝缘水平。

本实用新型与现有技术相比具有如下优点:所公开的真空灭弧室结构可有效减少真空灭弧室在生产及使用过程中出现的陶瓷外壳电击穿现象,减轻金属蒸汽在陶瓷外壳内壁沉积引起的真空灭弧室性能降低乃至失效情况的发生。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图中:1、动导电杆;2、导向套;3、动盖板;4、动端封接环;5、上陶瓷壳;6、下陶瓷壳;7、动触头;8、静触头;9、静导电杆;10、静端封接环;11、波纹管;12、波纹管屏蔽罩;13、屏蔽罩;14、静盖板;15、金属环。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图,对本实用新型进行进一步详细说明。

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