[实用新型]一种半导体电嘴放电端结构及具有其的半导体电嘴有效
申请号: | 201520911098.6 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN205117514U | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 万思明;胡冬兰 | 申请(专利权)人: | 陕西航空电气有限责任公司 |
主分类号: | F02C7/266 | 分类号: | F02C7/266 |
代理公司: | 北京航信高科知识产权代理事务所(普通合伙) 11526 | 代理人: | 刘丽萍 |
地址: | 713107 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 放电 结构 具有 | ||
1.一种半导体电嘴放电端结构,其特征在于,所述半导体电嘴放电端结构包括:
中心电极放电端(1);
半导体块(2),所述半导体块(2)中空,所述中心电极放电端(1)设置在所述半导体块(2)内;
侧电极(3),所述侧电极(3)中空,所述半导体块(2)设置在所述侧电极(3)内部;其中,
所述中心电极放电端(1)包括冒盖(11)以及中心电极放电端本体(12),所述冒盖(11)设置在所述中心电极放电端(1)的端部,所述中心电极放电端本体(12)外壁上设置有绝缘涂层。
2.如权利要求1所述的半导体电嘴放电端结构,其特征在于,所述半导体块(2)的外壁以及远离所述冒盖(11)的一端的端面上设置有绝缘涂层。
3.如权利要求2所述的半导体电嘴放电端结构,其特征在于,所述中心电极放电端本体(12)外壁上设置的绝缘涂层为珐琅涂层。
4.如权利要求3所述的半导体电嘴放电端结构,其特征在于,所述珐琅涂层通过涂覆并烧结的方式设置在中心电极放电端本体(12)外壁上。
5.如权利要求2所述的半导体电嘴放电端结构,其特征在于,所述半导体块(2)的外壁以及远离所述冒盖(11)的一端的端面上设置的绝缘涂层为高温釉。
6.如权利要求5所述的半导体电嘴放电端结构,其特征在于,所述高温釉通过涂覆并烧结的方式设置在半导体块(2)的外壁以及远离所述冒盖(11)的一端的端面上。
7.如权利要求4所述的半导体电嘴放电端结构,其特征在于,所述烧结温度为1400度。
8.如权利要求6所述的半导体电嘴放电端结构,其特征在于,所述烧结温度为1550度。
9.一种半导体电嘴,其特征在于,所述半导体电嘴包括如权利要求1至8中任意一项所述的半导体电嘴放电端结构。
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