[实用新型]一种快速启动的低功耗晶振电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶振时钟领域，尤其是一种快速启动的低功耗晶振电路。

背景技术

传统的低速晶振电路的电路结构简单且功耗低，但是晶振起振的时间一般比较长，一般在几毫秒到十几毫秒之间；现有电路应用中，要求系统能够快速启动，为了达到快速起振的效果，使用功耗较大的放大器，增大了电路的功耗；并且晶振电路结构复杂。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种快速启动的低功耗晶振电路。

本实用新型所采用的技术方案是：一种快速启动的低功耗晶振电路，包括晶振，输入模块，反馈模块，检波模块，加速模块，偏置模块和输出模块，所述晶振与输入模块连接，所述输入模块与反馈模块连接，所述反馈模块与检波模块连接，所述检波模块与加速模块连接，所述检波模块与输出模块连接，所述加速模块与偏置模块连接，所述偏置模块的输出端与输出模块的输入端连接，所述输出模块与晶振连接，所述偏置模块的输出端与输入模块的输入端连接。

进一步地，所述加速模块包括第一NMOS管、第二NMOS管和第一电阻，所述第一NMOS管的衬底与第二NMOS管的衬底连接，所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的漏极与偏置模块连接，所述第一NMOS管的栅极与偏置模块连接，所述第二NMOS管的源极与第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与第二NMOS管的栅极连接。

进一步地，所述检波模块为一个检波电路，包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，所述第三NMOS管的栅极与偏置模块连接，所述第三NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极连接，所述第四NMOS管的栅极与第五NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管的源极与第二NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管的源极与第六NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管的衬底与第四NMOS管的衬底连接，所述第四NMOS管的衬底与第五NMOS管的衬底连接，所述第三NMOS管的衬底与第六NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的漏极与第四NMOS管的源极连接，所述第四NMOS管的漏极与第五NMOS管的源极连接，所述第六NMOS管的漏极与其衬底连接，所述第六NMOS管的衬底与其源极连接，所述第六NMOS管的源极与第一电阻的另一端连接。

进一步地，所述反馈模块为一个反馈回路，包括第一电容，所述第一电容的一端与晶振的一端连接，所述第一电容的一端与第五NMOS管的源极连接，所述第一电容的另一端与晶振的另一端连接。

更进一步地，所述输出模块包括第一电流镜、第二电流镜、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管和第十NMOS管，所述第一电流镜的输入端与第二电流镜的输入端连接，所述第一电流镜的输入端与偏置模块连接，所述第一电流镜的输出端与第七NMOS管的漏极连接，所述第一电流镜的输出端与第十NMOS管的栅极连接，所述第七NMOS管的漏极与第五NMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的栅极与第九NMOS管的栅极连接，所述第七NMOS管的栅极与第一NMOS管的栅极连接，所述第七NMOS管的衬底与第八NMOS管的衬底连接，所述第八NMOS管的栅极与第五NMOS管的源极连接，所述第八NMOS管的源极与其衬底连接，所述第二电流镜的输出端与第九NMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的源极与第十NMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的衬底与第十NMOS管的衬底连接，所述第十NMOS管的衬底与其源极连接，所述第十NMOS管的源极与第八NMOS管的源极连接。

更进一步地，所述输入模块包括第三电流镜、第十一NMOS管和第十二NMOS管，所述第三电流镜的输入端与第二电流镜的输入端连接，所述第三电流镜的输出端与第十一NMOS管的漏极连接，所述第十一NMOS管的漏极与其栅极连接，所述第十一NMOS管的栅极与第一电容的另一端连接，所述第十一NMOS管的源极与第十二NMOS管的漏极连接，所述第十一NMOS管的衬底与第十二NMOS管的衬底连接，所述第十二NMOS管的衬底与其源极连接，所述第十二NMOS管的栅极与偏置模块连接，所述第十二NMOS管的源极与第十NMOS管的源极连接，所述第十二NMOS管的源极接地。

更进一步地，所述低功耗晶振电路还包括输出整形模块，所述输出模块中第九NMOS管的漏极与输出整形模块的输入端连接。