[实用新型]一种溅射镀膜掩膜版

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种掩膜版，具体涉及一种溅射镀膜掩膜版。

背景技术

在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到wafer制造中间的一个过程， 即光掩膜或称光罩(mask)制造，这一部分是流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一 部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一，其中，掩膜基版是制作微细光掩膜图形的理想感光 性空白板，通过光刻制版工艺可以获得所需光掩膜版。简单地说，光掩膜基版在被刻蚀上 掩膜图形之后就成为光掩膜版，是曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图 形的信息将被传递到芯片上，现有技术中，掩膜版中透光孔大多采用简单的方形孔或条形 孔，随着科学技术的发展和市场的需求，传统的掩膜版已经不能满足人们的需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有多种图形，能够满足不同用户需求，使用便捷并 且制造成本低的溅射镀膜掩膜版。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种溅射镀膜掩膜版，包括本体，本体为方形结构，本体长度为20mm，本体宽度为 20mm，本体四个顶点位置均设有十字件，十字件长度和宽度均为1.2mm。

作为上述技术的进一步改进，所述本体中部沿四个对角线方向分别设有第四方形孔， 第四方形孔长度为0.3mm，宽度为0.2mm。

作为上述技术的进一步改进，所述本体沿横向和纵向分别设有两个孔组，孔组包括第 一孔体、第二孔体以及第三孔体，第一孔体包括方形孔和条形孔，方形孔长度和宽度均为 1mm，方形孔下部连接条形孔，条形孔长度为2.45mm，宽度为0.2mm，条形孔下部左右 两侧沿条形孔中心线方向对称设置第二孔体和第三孔体，第二孔体和第三孔体结构相同， 第二孔体包括方形孔、斜向条形孔和竖向条形孔，斜向条形孔与水平线之间夹角为45度。

作为上述技术的进一步改进，所述本体中部沿四个对角线方向分别设有方形孔组，方 形孔组包括第一方形孔、第二方形孔以及第三方形孔，第二方形孔设于第一方形孔和第三 方形孔之间，第一方形孔和第三方形孔结构相同，第一方形孔长度为0.3mm，宽度为0.2mm， 第二方形孔长度为0.2mm，宽度为0.1mm，第一方形孔、第二方形孔以及第三方形孔呈横 向排布。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本体上具有十字件、方形孔以及条形孔 等多种图形，能够满足不同用户的需求，十字件、方形孔以及条形孔等图形的大小以及位 置在本体上布置得当，使用非常方便，图形对准精度高并且制造成本较低，具有很好的实 用性。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图A。

图2为本实用新型的结构示意图B。

图3为本实用新型的结构示意图C。

图4为本实用新型的结构示意图D。

图中：1-本体、2-十字件、3-第一方形孔、4-第二方形孔、5-第三方形孔、6-第四方 形孔、7-方形孔、8-条形孔、9-斜向条形孔、10-竖向条形孔。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。

一种溅射镀膜掩膜版，包括本体1，本体1为方形结构，本体1长度为20mm，本体1 宽度为20mm，本体1四个顶点位置均设有十字件2，十字件2长度和宽度均为1.2mm。

实施例1

本实施例中，本体1中部沿四个对角线方向分别设有方形孔组，方形孔组包括第一方 形孔3、第二方形孔4以及第三方形孔5，第二方形孔4设于第一方形孔3和第三方形孔5 之间，第一方形孔3和第三方形孔5结构相同，第一方形孔3长度为0.3mm，宽度为0.2mm， 第二方形孔4长度为0.2mm，宽度为0.1mm，第一方形孔3、第二方形孔4以及第三方形 孔5呈横向排布。

实施例2

本实例中，本体1中部沿四个对角线方向分别设有第四方形孔6，第四方形孔6长度 为0.3mm，宽度为0.2mm。

实施例3