[实用新型]一种高透光倒装式LED芯片结构有效
| 申请号： | 201520919809.4 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN205231103U | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 夏健;张伟;刘小波;孙恒俊;孙智江;贾辰宇 | 申请（专利权）人： | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/58;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 透光 倒装 led 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高透光倒装式LED芯片结构，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底表面自下而上依次生长外延N型GaN层、量子阱层和外延P型GaN层，其特征在于：所述外延P型GaN层的上表面自下而上依次蒸镀有ITO导电层和银反射镜层，所述银反射镜层上设有P电极，外延N型GaN层上设有N电极；且所述ITO导电层上刻蚀有若干排均匀分布且贯穿整个ITO导电层的透光孔，所述相邻排的透光孔间隔分布构成多个等边三角形阵列。
2.根据权利要求1所述的高透光倒装式LED芯片结构，其特征在于：所述透光孔的孔径为5μm。
3.根据权利要求1所述的高透光倒装式LED芯片结构，其特征在于：所述相邻透光孔边缘之间的距离为5μm。
4.根据权利要求1所述的高透光倒装式LED芯片结构，其特征在于：所述芯片上刻蚀有一道自上而下从银反射镜层依次延伸至外延N型GaN层的电极槽，该电极槽位于芯片的中部，N电极位于该电极槽中与外延N型GaN层连接。
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