[实用新型]一种倒装发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201520922310.9 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN205194731U | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 杨杰;常文斌;林宇杰 | 申请（专利权）人： | 上海博恩世通光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/14;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 发光二极管 芯片 | ||
1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：
衬底；
外延结构，包括依次层叠的N型层、量子阱层以及P型层；
透明导电层，形成于所述外延结构表面；
绝缘沟槽，形成于所述透明导电层及外延结构的周侧，其深度为直至所述N型层内部，所述绝缘沟槽内填充有绝缘材料；
反射镜，形成于所述透明导电层表面；
绝缘阻挡层，形成于所述反射镜表面；
台面结构，形成于切割道区域，所述台面结构露出有N型层台面以及N型层侧壁；
反射导电层，形成于所述N型层的台面、N型层侧壁以及绝缘阻挡层的部分表面，且与所述N型层的台面结构及N型层侧壁形成欧姆接触，并且，于所述绝缘阻挡层表面具有P电极预留区域；
钝化层，覆盖于倒装发光二极管芯片表面，其具有直至所述反射导电层的N电极开孔，以及与所述P电极预留区域对应且直至所述透明导电层的P电极开孔；
N电极，形成于所述N电极开孔内；以及
P电极，形成于所述P电极开孔内。
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于：所述N型层、量子阱层、P型层的基体材料为GaN，所述透明导电层的材料为ITO。
3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于：所述绝缘沟槽的宽度为1μm-8μm，其于所述外延结构内的深度为1μm-3μm，且其至少延伸至所述N型层的内部。
4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于：所述切割道区域位于所述绝缘沟槽的外侧。
5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于：所述N型层侧壁为斜面结构，所述斜面结构的宽度为1μm-4μm。
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