[实用新型]一种能防止MOCVD反应过程中晶圆片翘曲的结构

权利要求书

1.一种能防止MOCVD反应过程中晶圆片翘曲的结构，其特征在于：包括反 应腔室、托盘、钼旋转盘、磁流体轴、磁流体、密封罩；所述反应腔室为一密 闭腔体，其内部气压恒定；所述托盘和钼旋转盘上下叠置地置于反应腔室内， 且该托盘的底面与钼旋转盘的顶面紧密贴合；所述托盘的顶面上挖设有多个沿 其周向间隔均布的平整凹坑，用于安装晶圆片，所述平整凹坑的形状大小与晶 圆片相匹配，晶圆片吸附在平整凹坑上后，其整体高度低于凹坑深度，所述托 盘内形成有贯通凹坑坑底中心与托盘底面的第一抽真空通道，且一个平整凹坑 配置有一条第一抽真空通道，每个平整凹坑的坑底均挖设有多条围绕凹坑中心 沿凹坑周向均布的第一长条形槽，且每条第一长条形槽均与相应凹坑的第一抽 真空通道连通，所述托盘的底面中心开设有一个盲孔，该托盘底面上还挖设有 多条围绕盲孔沿托盘周向均布的第二长条形槽，所述第二长条形槽与盲孔连通， 其数量应与第一抽真空通道数量相一致，且一条第二长条形槽与一条第一抽真 空通道连通；所述钼旋转盘内形成有贯通其顶面和底面中心的第二抽真空通道， 且所述第二抽真空通道与托盘底面中心处的盲孔连通；所述磁流体轴的一端竖 直伸进反应腔室内与钼旋转盘连接，其另一端从反应腔室底部中心的通孔外伸 出反应腔室，并装配上磁流体，可通过磁流体驱动旋转，所述磁流体的一端封 堵该反应腔室底部中心的通孔，其另一端连接有密封罩，所述磁流体轴外伸出 的一端穿过磁流体后伸进密封罩内，该磁流体轴内形成有贯通其两轴端面的第 三抽真空通道，且该第三抽真空通道与上述第二抽真空通道连通，所述密封罩 通过气管与外界抽真空装置相连。

2.根据权利要求1所述的一种能防止MOCVD反应过程中晶圆片翘曲的结构， 其特征在于：所述磁流体的两端均通过氟橡胶O型圈密封。