[实用新型]接触式图像传感器封装结构有效
申请号: | 201520924162.4 | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN205303467U | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 丁万春 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮;郭栋梁 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 图像传感器 封装 结构 | ||
技术领域
本公开一般涉及封装结构,具体涉及传感器的封装结构,尤其涉及接触式图像传感器封装结构。
背景技术
目前市场对图像传感器封装结构的尺寸要求逐步提高,需要总体封装高度降低,传统的封装结构很难满足尺寸要求,而压缩个零件间的距离又会导致镜组与芯片的对焦失效率高。
实用新型内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种接触式图像传感器(ContactImageSensor,CIS,以下简称为CIS)封装结构,包括:接触式图像传感器芯片,所述接触式图像传感器芯片的端子形成接触凸点;基板,在所述基板的一面上形成安装槽,在所述安装槽的底面设置绝缘涂层,在所述绝缘涂层上形成有凹孔;其中,所述接触凸点伸出所述凹孔与所述凹孔内的基板连接垫接触。
本实用新型将CIS传感器装入基板的安装槽中,与安装槽中的绝缘涂层接触,通过凹孔与基板连接垫实现信号传输,降低了整体结构的高度,满足了市场需求。同时绝缘涂层还能够保护CIS芯片不受损坏。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本实用新型的整体结构的剖面示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关实用新型,而非对该实用新型的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与实用新型相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
本实用新型公开一种接触式图像传感器封装结构,参见图1,该结构包括接触式图像传感器芯片2(以下简称CIS芯片2)和基板1,其中,基板1上形成有安装槽,用于安装CIS芯片2,在安装槽的底面上,设置绝缘涂层11,在绝缘涂层11上形成凹孔111,而CIS芯片2的端子形成接触凸点21,该凸点伸入凹孔111中,通过凹孔与基板1的连接垫接触。该连接垫即与CIS芯片2电连接,用于传递信号使用,该连接端对于本领域技术人员来说是可以知晓的。需要理解,图1示出的是CIS芯片2倒装于基板1。
将CIS传感器装入基板1的安装槽中,与安装槽中的绝缘涂层11接触,通过凹孔与基板1连接垫实现信号传输,降低了整体结构的高度,满足了市场需求。同时绝缘涂层11还能够保护CIS芯片2不受损坏。优选的,绝缘涂层11为环氧树脂涂层11,或者为聚酰亚胺涂层11。
为了保证CIS芯片2与基板1的连接能够牢靠,该结构还包括点胶层4,将CIS芯片2封装与安装槽内,但是作为CIS芯片2必然还有感光面不能被覆盖,因此,点胶层具有开口部,使所CIS芯片2的感光面23露出。
基于上述的点胶层,本实用新型至少提供两种设置方式,第一种方式为:点胶层填充于CIS芯片2与上述基板1之间的空隙。如图1所示,该空隙至少包括图中以标号A示出的部分,此种方法会填充这部分空隙。第二种方式为:点胶层4覆盖基板和接触式图像传感器封装芯片2的表面,封闭基板和所述接触式图像传感器封装芯片2之间空隙的开口部分。这种方式与图1示出的方式相同,空隙A部分并不是必须填充。
在一种可选的实施方式中,安装槽的深度大于等于绝缘涂层11与接触式图像传感器芯片的厚度和。这样保证CIS芯片不会高出基板,保证了封装高度。进一步,接触凸点的长度,大于等于绝缘涂层11的厚度,以保证能够良好的接触,避免接触不实导致的产片失效。
需要理解,该封装结构还包括镜组5,正对接触式图像传感器芯片从所述安装槽露出的一面。即,正对CIS芯片的感光面23。当然,CIS芯片中还具有通过硅片通道22(ThroughSiliconVias,TSV),用于传递感光面信号到接触凸点,其在芯片结构内。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的实用新型范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离所述实用新型构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的