[实用新型]一种低压台区电能质量治理装置

权利要求书

1.一种低压台区电能质量治理装置，其特征在于：包括变压器（1）和控制回路（2），所述变压器（1）为ZigZag变压器，所述变压器（1）耦接于外部线路，所述控制回路（2）包括：

逆变器（21），耦接于外部线路，提供大容量直流电压源，并提供补偿的零序电流；

采样电路（22），耦接于变压器（1），采集变压器（1）中不平衡零序电流，为补偿零序电流提供依据；

PWM调制器（23），耦接于逆变器（21）和采样电路（22），以根据采样电路（22）采集的零序电流，将逆变器（21）输出的电流进行PWM波调制，输出PWM电流作为补偿的交流零序电流；

保护电路（24），耦接于采样电路（22）和逆变器（21）与变压器（1）之间，当采样电路（22）采样到需要补偿电流超过阈值时，断开采样电路（22）和逆变器（21）与变压器（1）之间的连接；

滤波器（25），耦接于变压器（1）和外部线路之间，以滤除外部线路中的高频分量。

2.根据权利要求1所述的低压台区电能质量治理装置，其特征在于：所述逆变器（21）包括三角波发生电路（211）、第一MOS管（T1）、第二MOS管（T2）、第三MOS管（T3）和第四MOS管(T4)，所述第一MOS管(T1)的漏极与第二MOS管（T2）的漏极耦接，所述第一MOS管（T1）的源极与第三MOS管（T3）的漏极耦接，所述第三MOS管（T3）的源极与第四MOS管（T4）的源极耦接，所述第二MOS管（T2）的源极与第四MOS管（T4）的漏极耦接，所述第一MOS管（T1）的源极与第三MOS管（T3）的漏极之间的结点延伸出第一输出端，所述第二MOS管（T2）的源极与第四MOS管（T4）的漏极之间的结点延伸出第二输出端，所述第一MOS管（T1）、第二MOS管（T2）、第三MOS管（T3）和第四MOS管(T4)的漏极和源极之间均耦接有肖特基二极管，并且该肖特基二极管的阴极与漏极耦接，阳极与源极耦接，所述第二MOS管（T2）的漏极与第四MOS管（T4）的源极之间还耦接有电容，所述第一MOS管（T1）、第二MOS管（T2）、第三MOS管（T3）和第四MOS管(T4)的栅极均与三角波发生电路（211）耦接，所述三角波发生电路（211）包括波形发生电路（2111）和增幅电路（2112），所述波形发生电路（2111）包括555定时芯片（U1），该芯片的4、8引脚耦接于电源，7引脚耦接有第一电阻（R1）后接电源，并且还耦接有第二电阻（R2）后耦接PWM调制器（23），2、6引脚短接后耦接于PWM调制器（23），1引脚接地，5引脚耦接有第二电容（C2）后接地，3引脚作为输出引脚，耦接有第三电容（C3）和第三电阻（R3）耦接于增幅电路（2112），所述第三电阻（R3）还耦接有第四电容（C4）后接地。

3.根据权利要求2所述的低压台区电能质量治理装置，其特征在于：所述增幅电路包括第一运算放大器（U2）、第四电阻（R4）和第五电阻（R5），所述第一运算放大器（U2）的同相输入端耦接于第三电阻（R3），反相输入端耦接于第四电阻（R4）后接地，还耦接于第五电阻（R5）后耦接于第一运算放大器（U2）的输出端。

4.根据权利要求3所述的低压台区电能质量治理装置，其特征在于：所述采样电路（22）包括第二运算放大器(U3)、第六电阻（R6）和互感器（L），所述互感器（L）与变压器（1）耦接，所述第二运算放大器（U3）的同相输入端耦接于其输出端后耦接于保护电路（24），所述第二运算放大器（U3）的反相输入端耦接于互感器的次级侧，并且还耦接于第六电阻（R6）。

5.根据权利要求4所述的低压台区电能质量治理装置，其特征在于：所述保护电路（24）包括DSP模块（241）和A/D模块（242），所述DSP模块（241）与A/D模块（242）耦接后与采样电路（22）耦接，所述DSP模块（241）耦接于PWM调制器（23）后耦接于逆变器（21）进行补偿输出，所述DSP模块（241）还耦接有开关管（Q），该开关管（Q）具有第一端，耦接于DSP模块（241），第二端，耦接于电源，控制端，输入直流侧电压。