[实用新型]溅射工艺中的硅片加热装置有效
| 申请号： | 201520929754.5 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN205188425U | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 史进;伍志军 | 申请（专利权）人： | 苏州赛森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/50 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 顾进 |
| 地址： | 215699 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 工艺 中的 硅片 加热 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种溅射工艺中的硅片加热装置，其包括有用于放置硅片的放置盘；其特征在于，所述放置盘的底端面设置有多个加热孔，加热孔连通至设置在放置盘外部的加热管道，加热管道连接有加热源；所述放置盘的底端面采用弧形结构，其朝向加热管道进行弯曲，放置盘的底端面设置有用于置放硅片的放置端板，放置端板沿放置盘的底端面成环形分布，且其所处高度高于放置盘的最低位置；多个加热孔在放置端板与放置盘的最低位置之间均匀分布。
2.按照权利要求1所述的溅射工艺中的硅片加热装置，其特征在于，所述放置端板之中设置有多个辅助加热孔，多个辅助加热孔沿放置端板的延伸方向均匀分布。
3.按照权利要求2所述的溅射工艺中的硅片加热装置，其特征在于，所述放置端板包括有连接于放置盘之上的连接端，以及与硅片相接触的放置端，所述放置端的高度高于连接端的高度。
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