[实用新型]一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构

权利要求书

1.一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构，其特征在于：包括周围环绕有 半导体泵浦模块的激光棒，激光棒前端前方设有输出腔片，还包括激光电源、退压调Q高压 模块、两组调Q晶体、起偏器，所述调Q晶体为长方体状的铌酸锂晶体，铌酸锂晶体经X-Y-Z方 向切割形成LN电光的调Q晶体，且调Q晶体的X轴方向加电场、沿Z轴方向通光，其中第一组调 Q晶体的Z轴与激光棒中心轴同轴，第一组调Q晶体的前端与激光棒后端相对，且第一组调Q 晶体的后端后方设有全反腔片，所述起偏器设在激光棒后端与第一组调Q晶体前端之间，第 二组调Q晶体设置在起偏器一侧，且第二组调Q晶体Z轴一端倾斜对准起偏器，第二组调Q晶 体Z轴另一端外亦设有全反腔片，由两组调Q晶体和起偏器构成电光Q开关，两组调Q晶体分 别与退压调Q高压模块连接，由退压调Q高压模块分别向两组调Q晶体施加电场，所述激光电 源分别供电至退压调Q高压模块、半导体泵浦模块；

激光电源向半导体泵浦模块提供能量，半导体泵浦模块产生泵浦光，泵浦光进入激光 棒内进行泵浦产生高脉冲激光，在激光棒前端高脉冲激光经过输出腔片出射，在激光棒后 端高脉冲激光经过电光调Q开关调Q后，再经过全反腔片反射后依次经过激光棒、输出腔片 出射。

2.根据权利要求1所述的一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构，其特征 在于：还包括激光水冷系统，所述激光水冷系统分别通过管路与激光棒、半导体泵浦模块连 接，所述激光电源供电至激光水冷系统，由激光水冷系统向激光棒、半导体泵浦模块提供恒 温冷却水。

3.根据权利要求1所述的一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构，其特征 在于：所述激光棒采用Er:YSGG激光晶体，激光棒的前、后端端面分别镀2.79μm增透膜。

4.根据权利要求1所述的一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构，其特征 在于：所述全反腔片的朝向激光棒前端的一面镀2.79μm全反膜，输出腔片的朝向激光棒前 端的一面镀80%反射膜，输出腔片的朝向激光棒后端的一面镀2.79μm增透膜。

5.根据权利要求1所述的一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构，其特征 在于：所述调Q晶体的两Y-Z面分别镀金作为电极，保证了电场的均匀性，调Q晶体的双X-Y面 分别镀2.79μm增透膜。