[实用新型]一种支持S模式工作方式的发射组件有效
申请号: | 201520931493.0 | 申请日: | 2015-11-19 |
公开(公告)号: | CN205176261U | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 于龙;孟欢;范青;甘成才;刘磊承 | 申请(专利权)人: | 安徽四创电子股份有限公司 |
主分类号: | G01S7/02 | 分类号: | G01S7/02 |
代理公司: | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人: | 王挺 |
地址: | 230088 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 支持 模式 工作 方式 发射 组件 | ||
1.一种支持S模式工作方式的发射组件,其特征在于:本发射组件包 括一级8W功率放大器(10),所述一级8W功率放大器(10)的输入端连接 输入功率信号,所述一级8W功率放大器(10)的输出端连接二级60W功率 放大器(20)的输入端,所述二级60W功率放大器(20)的输出端连接第一 隔离器的输入端,所述第一隔离器的输出端连接三级500W功率放大器(30) 的输入端,所述三级500W功率放大器(30)的输出端连接第二隔离器的输 入端,所述第二隔离器的输出端连接串馈分配器的输入端,所述串馈分配器 的输出端经过PIN开关后连接四级500W功率放大器(40)的输入端,所述 四级500W功率放大器(40)的输出端连接第三隔离器的输入端,所述第三 隔离器输出端连接串馈合成器的输入端,所述串馈合成器的输出端输出功率 信号,所述一级8W功率放大器(10)的TTL控制端、PIN开关的TTL控制端 均与BITE控制电路的输出端相连。
2.如权利要求1所述的一种支持S模式工作方式的发射组件,其特征 在于:所述四级500W功率放大器(40)包括500W功率管(V1),所述500W 功率管(V1)的发射极连接第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、 第五电容(C5)、第一电感(L1)、第二电感(L2)的一端以及PIN开关的 输出端,所述第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第五电 容(C5)、第一电感(L1)、第二电感(L2)的另一端接地,所述500W功 率管(V1)的基极接地,所述500W功率管(V1)的集电极连接第一电容(C1)、 第一电阻(R1)、第三电感(L3)的一端,所述第一电阻(R1)、第三电感 (L3)的另一端均连接第六电容(C6)、第七电容(C7)、第八电容(C8)、 第九电容(C9)的一端以及电源,所述第九电容(C9)的另一端连接第二电 阻(R2)的一端,所述第二电阻(R2)、第六电容(C6)、第七电容(C7)、 第八电容(C8)的另一端均接地,所述第一电容(C1)的另一端连接第三隔 离器的输入端。
3.如权利要求2所述的一种支持S模式工作方式的发射组件,其特征 在于:所述四级500W功率放大器(40)、PIN开关、第三隔离器的个数相同, 且个数至少为六个。
4.如权利要求3所述的一种支持S模式工作方式的发射组件,其特征 在于:所述一级8W功率放大器(10)功率管的芯片型号为石家庄新元电子 股份有限公司生产的PA1030,所述二级60W功率放大器(20)功率管的芯片 型号为美国Microsemi公司生产的MDS60L,所述三级500W功率放大器(30)、 四级500W功率放大器(40)功率管的芯片型号均为美国Microsemi公司生 产的MDS500L。
5.如权利要求1所述的一种支持S模式工作方式的发射组件,其特征 在于:所述一级8W功率放大器(10)、二级60W功率放大器(20)、三级 500W功率放大器(30)、四级500W功率放大器(40)、第一隔离器、第二 隔离器、第三隔离器、串馈分配器、串馈合成器的散热面材质均为铜。
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