[实用新型]一种含DBR结构的五结太阳能电池有效
| 申请号： | 201520932052.2 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN205385027U | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张小宾;张杨;马涤非;王雷;毛明明;刘雪珍;张露;潘旭;杨翠柏 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 梁莹 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dbr 结构 太阳能电池 | ||
1.一种含DBR结构的五结太阳能电池，包括有Ge衬底，其特征在于：所述Ge衬底为p型Ge单晶片；在所述Ge衬底上面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、AlGaAs/GaInAsDBR、Ga1-3xIn3xNxAs1-x子电池、AlAs/AlGaAsDBR、Ga1-3yIn3yNyAs1-y子电池、AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池；所述GaInAs/GaInP缓冲层和AlGaAs/GaInAsDBR之间通过第一隧道结连接，所述Ga1-3xIn3xNxAs1-x子电池和AlAs/AlGaAsDBR通过第二隧道结连接，所述Ga1-3yIn3yNyAs1-y子电池和AlGaInAs子电池通过第三隧道结连接，所述AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池通过第四隧道结连接；其中，所述AlGaAs/GaInAsDBR用于反射长波光子，所述AlAs/AlGaAsDBR用于反射中长波光子。
2.根据权利要求1所述的一种含DBR结构的五结太阳能电池，其特征在于：所述AlGaAs/GaInAsDBR的反射波长为1000～1300nm，该AlGaAs/GaInAsDBR中AlGaAs/GaInAs组合层的对数为10～30对。
3.根据权利要求1所述的一种含DBR结构的五结太阳能电池，其特征在于：所述Ga1-3xIn3xNxAs1-x子电池中Ga1-3xIn3xNxAs1-x材料的光学带隙为0.95～1.05eV。
4.根据权利要求1所述的一种含DBR结构的五结太阳能电池，其特征在于：所述AlAs/AlGaAsDBR的反射波长为800～1000nm，该AlAs/AlGaAsDBR中AlAs/AlGaAs组合层的对数为10～30对。
5.根据权利要求1所述的一种含DBR结构的五结太阳能电池，其特征在于：所述Ga1-3yIn3yNyAs1-y子电池中Ga1-3yIn3yNyAs1-y材料的光学带隙为1.25～1.35eV。
6.根据权利要求1所述的一种含DBR结构的五结太阳能电池，其特征在于：所述AlGaInAs子电池中AlGaInAs材料的光学带隙为1.6～1.7eV。
7.根据权利要求1所述的一种含DBR结构的五结太阳能电池，其特征在于：所述AlGaInP子电池中AlGaInP材料的光学带隙为2.0～2.1eV。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
