[实用新型]GaN基LED外延结构有效
| 申请号： | 201520933121.1 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN205092260U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山;刘慰华;冯猛;陈伟;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 | ||
1.一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：
衬底，N型GaN层，MQW有源层，P型AlGaN层，P型GaN层；
所述N型GaN层包括依次排布的第一GaN层、高掺杂N型GaN层和第二GaN层；
所述第一GaN层和第二GaN层分别由若干非掺杂层和掺杂层交替排列组成，且所述高掺杂N型GaN层掺杂浓度不小于所述掺杂层。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述第一GaN层中，非掺杂层厚度逐渐递增，掺杂层厚度逐渐递减。
3.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述第二GaN层中，非掺杂层厚度逐渐递减，掺杂层厚度逐渐递增。
4.根据权利要求2所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述第一GaN层中，掺杂层掺杂浓度保持不变，且每一对上下相邻的掺杂层与非掺杂层总厚度保持不变。
5.根据权利要求3所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述第二GaN层中，掺杂层掺杂浓度保持不变，且每一对上下相邻的掺杂层与非掺杂层总厚度保持不变。
6.根据权利要求2所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述第一GaN层中，每一对上下相邻的掺杂层与非掺杂层总厚度为10nm-50nm。
7.根据权利要求3所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述第二GaN层中，每一对上下相邻的掺杂层与非掺杂层总厚度为10nm-50nm。
8.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述高掺杂N型GaN层的掺杂浓度保持不变。
9.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述高掺杂N型GaN层的厚度为600nm-1200nm。
10.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，还包括位于衬底和N型GaN层之间的成核层和氮化物缓冲层。
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