[实用新型]压力传感器设备

权利要求书

1.一种压力传感器设备，位于测量机械参数的材料内，其特征在于，所述压力传感器设备包括：

集成电路IC，包括：

环形振荡器，包括至少一个反相器级，所述至少一个反相器级包括第一掺杂压敏电阻器对和第二掺杂压敏电阻器对，

每个压敏电阻器对均包括彼此正交布置且具有相同电阻值的两个压敏电阻器，

每个压敏电阻器对均具有响应于压力的第一电阻值和第二电阻值，以及

输出接口，耦合至所述环形振荡器，并且被配置为生成基于所述第一电阻值和所述第二电阻值并且表示垂直于所述集成电路IC的压力的压力输出信号。

2.根据权利要求1所述的压力传感器设备，其特征在于所述第一掺杂压敏电阻器对包括具有第一导电类型的半导体材料；并且其中所述第二掺杂压敏电阻器对包括具有第二导电类型的半导体材料。

3.根据权利要求1所述的压力传感器设备，其特征在于所述输出接口包括无线发射器。

4.根据权利要求3所述的压力传感器设备，其特征在于所述输出接口包括调制器，所述调制器耦合在所述无线发射器的上游并被配置为通过调制所述环形振荡器电路的输出生成所述压力输出信号。

5.根据权利要求4所述的压力传感器设备，其特征在于所述调制器被配置为基于幅移键控调制来进行操作。

6.根据权利要求1所述的压力传感器设备，其特征在于所述至少一个反相器级包括耦合至所述第一掺杂压敏电阻器对和所述第二掺杂压敏电阻器对的电容器。

7.一种压力传感器设备，位于测量机械参数的材料内，其特征在于，所述压力传感器设备包括：

集成电路IC，包括：

环形振荡器，包括至少一个反相器级，所述至少一个反相器级包括第一掺杂压敏电阻器对和第二掺杂压敏电阻器对，

电容器，耦合至所述第一掺杂压敏电阻器对和所述第二掺杂压敏电阻器对，

每个压敏电阻器对均包括彼此正交布置且具有相同电阻值的两个压敏电阻器，

每个压敏电阻器对均具有响应于压力的第一电阻值和第二电阻值，以及

无线输出接口，耦合至所述环形振荡器，并且被配置为生成基于所述第一电阻值和所述第二电阻值并且表示垂直于所述集成电路IC的压力的压力输出信号。

8.根据权利要求7所述的压力传感器设备，其特征在于所述第一掺杂压敏电阻器对包括具有第一导电类型的半导体材料；并且其中所述第二掺杂压敏电阻器对包括具有第二导电类型的半导体材料。

9.根据权利要求7所述的压力传感器设备，其特征在于所述无线输出接口包括无线发射器。

10.根据权利要求9所述的压力传感器设备，其特征在于所述无线输出接口包括调制器，所述调制器耦合在所述无线发射器的上游并被配置为通过调制所述环形振荡器电路的输出生成所述压力输出信号。

11.根据权利要求10所述的压力传感器设备，其特征在于所述调制器被配置为基于幅移键控调制来进行操作。

12.一种位于材料内的压力传感器设备，其特征在于，所述压力传感器设备包括：

集成电路IC，包括：

环形振荡器，包括耦合到一起的多个反相器级，所述多个反相器级中的至少一个包括耦合到一起、被布置为相互垂直且具有响应于压力的第一电阻值和第二电阻值的第一压敏电阻器和第二压敏电阻器；以及

输出接口，耦合至所述环形振荡器，并且被配置为生成基于所述第一电阻值和所述第二电阻值并且表示垂直于所述集成电路IC的压力的压力输出信号。

13.根据权利要求12所述的压力传感器设备，其特征在于所述至少一个反相器级包括第一反相器级和第二反相器级，所述第一反相器级包括具有第一导电类型的半导体材料的第一压敏电阻器和第二压敏电阻器，以及所述第二反相器级包括具有第二导电类型的半导体材料的第一压敏电阻器和第二压敏电阻器。

14.根据权利要求12所述的压力传感器设备，其特征在于所述第一压敏电阻器和第二压敏电阻器包括具有第一导电类型的半导体材料；并且其中所述至少一个反相器级还包括第三压敏电阻器和第四压敏电阻器，所述第三压敏电阻器和所述第四压敏电阻器耦合到一起并且包括具有第二导电类型的半导体材料。