[实用新型]全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路有效
| 申请号： | 201520949602.1 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN205105184U | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王建;张建;李伟;李成祥;张程;赵仲勇;姚陈果 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网新疆电力公司电力科学研究院;重庆大学 |
| 主分类号： | H03K17/04 | 分类号： | H03K17/04;H03K17/687;H03K5/12 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 脉冲 发生器 mosfet 驱动 电路 | ||
1.一种全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路，用于产生驱动信号，其特征在于：包括光纤驱动单元、与光纤驱动单元连接的发纤发射单元、接收光纤发射单元光信号的光接收单元、接收光接收单元输出信号的驱动信号产生单元以及控制整个驱动电路通断的开关单元。
2.根据权利要求1所述的全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路，其特征在于：所述光纤驱动单元包括光纤驱动芯片、第一电容(C1)、第二电容(C2)和第一电阻(R1)，所述光纤驱动芯片的正输入端接外部TTL输入信号，所述光纤驱动芯片的电源端与电源连接且分别与对地的第一电容、第二电容连接，所述光纤驱动芯片的负输入端经第一电阻与电源连接。
3.根据权利要求2所述的全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路，其特征在于：所述光纤发射单元包括光纤发射器。
4.根据权利要求3所述的全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路，其特征在于：所述光接收单元包括光接收器。
5.根据权利要求4所述的全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路，其特征在于：所述驱动信号产生单元包括驱动芯片，所述驱动芯片的输出端经电阻Rg与开关单元连接。
6.根据权利要求5所述的全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路，其特征在于：所述开关单元包括二极管(D)、三极管(Q)、瞬态电压抑制二极管(TVS)和第三电阻(R3)，所述三极管的基极与电阻Rg连接，二极管并联于三极管的发射极与基极之间且二极管的阳极与基极连接，二极管的阴极与发射极连接，所述瞬态电压抑制二极管并联于三极管的发射极与基极间，所述第三电阻与瞬态电压抑制二极管并联。
7.根据权利要求5所述的全固态纳秒脉冲发生器MOSFET驱动电路，其特征在于：所述驱动芯片为IXDN609。
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