[实用新型]漏电保护装置自动上电电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及漏电保护装置技术领域，特别涉及一种漏电保护 装置自动上电电路。

背景技术

单相可控硅运用在直流电中一旦触发后将有维持导通功能，若运 用在交流电中触发后因可控硅阳极有过零周期存在造成可控硅自动 关断，为了让可控硅能在交直流混合控制电路中使用且不断电的前提 下，实现导通或截止且导通角受控则必须要有专用触发电路，由于专 用电路成本高且需要外接元件辅助，造成线路板体积大，安装空间时 常受到限制，不易小型化设计。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型的目的就是要克服上述缺点，旨在提供一种漏电保护 装置自动上电电路。

(二)技术方案

为达到上述目的，本实用新型的漏电保护装置自动上电电路，包 括整流电路、机构连锁装置和漏电保护电路，还设有自动上电触发电 路、上电线圈L1和可控硅Q2；所述自动上电触发电路连接可控硅 Q2触发极，所述上电线圈L1用于吸合机构连锁装置；上电线圈L1 和可控硅Q2进行电气连接,Q2导通,上电线圈L1吸合。

所述自动上电触发电路包括储能电容C1、三极管Q1、电容C2 和电阻R3；所述电阻R3一端连接储能电容C1正极，另一端连接电 容C2，所述三极管Q1基极受控于电容C2；所述三极管Q1集电极 连接电容C3的一端，所述电容C3另一端与可控硅Q2触发极进行电 气连接。

还包括二次开关电路，所述二次开关电路为复位键S1、二极管 D2以及所述的电容C2构成的回路。

所述储能电容C1和三极管Q1集电极之间设有电阻R2；所述可 控硅Q2触发极连接有电容C4和电阻R5。

电容C3另一端与可控硅Q2触发极之间设置稳压二极管D7。

所述电阻R2、电容C3、稳压二极管D7、电阻R5和电容C4组 成延时控制电路。

所述延时控制电路的延时时间可调节。

所述漏电保护电路包括用于感应零火线漏电的零序电流互感器， 以及用于感应地线漏电的地线互感器，以及漏电保护IC；漏电保护 IC用于接收零序电流互感器和地线互感器的感应电势。

所述稳压二极管D7用降压电阻代替。

还包括断电线圈L2以及与断电线圈L2电气连接的可控硅Q3， 所述断电线圈L2用于断开机构连锁装置，所述可控硅Q3触发极受 控于漏电保护IC。

(三)有益效果

与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点：用较少 的元件实现单次触发，省去专用电路，减少成本及体积；自动上电吸 合技术关键是自动触发及二次人为被动触发，该功能实现可延伸到多 用途运用领域，上电吸合即等效开关，代替了大功率继电器控制方式 且二次被动触发可实现单片机扩展运用实现了智能化组合控制模式。

附图说明

图1为本实用新型的漏电保护装置自动上电电路的模块图；

图2为本实用新型的漏电保护装置自动上电电路的实施例一的电 路原理图；

图3为本实用新型的漏电保护装置自动上电电路的实施例二的电 路原理图；

图4为本实用新型图2中降压电阻替代稳压二极管的电路原理图；

图5为本实用新型图3中降压电阻替代稳压二极管的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步 详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新 型的范围。

实施例一

电路模块图如图1所示，本实用新型的漏电保护装置自动上电电 路，包括整流电路、机构连锁装置S2-S3和漏电保护电路，整流电路 包括限流电阻R1和整流二极管D1，还设有自动上电触发电路、上电 线圈L1和可控硅Q2；所述自动上电触发电路连接可控硅Q2触发极， 所述上电线圈L1用于吸合机构连锁装置S2-S3；上电线圈L1和可控 硅Q2进行电气连接,Q2导通,上电线圈L1吸合。

电路原理图如图2所示，所述自动上电触发电路包括储能电容 C1、三极管Q1、电容C2和电阻R3；所述电阻R3一端连接储能电 容C1正极，另一端连接电容C2，所述三极管Q1基极受控于电容 C2；所述三极管Q1集电极连接电容C3的一端，所述电容C3另一 端与可控硅Q2触发极进行电气连接。其中，储能电容C1并联有稳 压二极管D6。