[实用新型]一种前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路

权利要求书

1.一种前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路，其特征在于，包括与射频输出端相连的前级驱动电路和后级驱动电路；前级驱动电路通过第一电容分压电路与射频输出端相连，第一电容分压电路，连接第一整流电路，第一整流电路连接稳压电路，稳压电路连接减压电路和驱动前级，减压电路连接第一滤波电路;后级驱动电路通过第二电容分压电路与射频输出端相连，第二电容分压电路连接有第二整流电路，第二整流电路连接第二滤波电路，第二滤波电路连接电压调节电路，电压调节电路与驱动后级相连；前级驱动电路和后级驱动电路连接形成闭合电路。

2.如权利要求1所述的前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路，其特征在于，所述第一电容分压电路包括与射频输出端相连的第一电容，第一电容连接有第二电容、第三电容、第四电容和稳压电路；第二电容、第三电容和第四电容并联设置；第二电容分压电路包括与射频输出端相连的第十一电容，第十一电容连接第十二电容和第二整流电路。

3.如权利要求2所述的前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路，其特征在于，所述第一电容的耐压值为2.5KV，第十一电容的耐压值为1kV，第二电容、第三电容、第四电容和第十二电容的耐压值为100V。

4.如权利要求1所述的前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路，其特征在于，所述第一整流电路包括第一二极管和第三二极管，第一二极管和第三二极管连接第一电容分压电路；第一二极管连接有第二二极管；第三二极管连接有第四二极管；第四二极管连接稳压电路；第二整流电路包括第八二极管，第八二极管连接第九二极管和第二滤波电路。

5.如权利要求1所述的前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路，其特征在于，所述电压调节电路包括与第二滤波电路连接的第十稳压二极管，第十稳压二极管连接三极管；三极管连接第十五电容、第十六电容、第十一稳压二极管、第十二稳压二极管、第三电阻、第八调节电阻和第九电阻，第九电阻与第二滤波电路相连；第八调节电阻一端连接第九电阻和第十五电容，另一端接地；

第十二稳压二极管连接第三电阻、第十六电容、第十一稳压二极管和第十三稳压二极管，第三电阻连接驱动后级；第十一稳压二极管连接减压电路和第四电阻，第四电阻连接减压电路和滤波电路；第十三稳压二极管连接第五电阻和第六电阻，第六电阻连接第七电阻、减压电路和稳压电路；第七电阻连接驱动前级、减压电路和稳压电路。

6.如权利要求1所述的前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路，其特征在于，所述稳压电路包括与整流电路连接的第五电容、第一电阻和林顿三极管；第一电阻连接有第二电阻，第二电阻连接达林顿三极管、第五稳压二极管、第六电容和第七电容；第五稳压二极管连接有第六稳压二极管。

7.如权利要求1所述的前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路，其特征在于，所述减压电路为第七二极管。

8.如权利要求1所述的前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路，其特征在于，所述第一滤波电路包括第九电容和电解电容；第九电容和电解电容并联设置；第二滤波电路包括第十电阻，第十电阻连接第十三电容、第十四电容和电压调节电路。

9.如权利要求1所述的前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路，其特征在于，所述稳压电路与减压电路之间设有第八电容；第八电容一端连接稳压电路、减压电路和电压调节电路，另一端接地。