[实用新型]用于光电转换的PN结光电二极管芯片

权利要求书

1.一种用于光电转换的PN结光电二极管芯片，其特征在于PN结上有一层光的衰减膜，衰减膜长在PN结入射光的面上，衰减膜吸收大部分的光。

2.根据权利要求1所述的光电二极管芯片，其特征在于PN结与衰减膜之间还有一层隔离层，隔离层防止衰减膜层的物质渗透到PN结层。

3.根据权利要求1所述的光电二极管芯片，其特征在于在衰减膜上还镀有一层增透膜。